Altera公司公開業界第一款異質架構系統層級封裝（SiP，System-in-Package）元件，整合了來自SK海力士公司的堆疊寬頻記憶體（HBM2）以及高性能Stratix® 10 FPGA和SoC。Stratix 10 DRAM SiP代表了新一類元件，其特殊的架構設計滿足了高性能系統對記憶體頻寬最嚴格的要求。 資料中心、廣播、固網和高性能運算等系統要處理的資料量不斷攀升，需要的頻寬非常高，相對於目前的獨立DRAM解決方案，Stratix 10 DRAM SiP的記憶體頻寬提高了10倍。 藉由這種突破性的3D堆疊記憶體技術和FPGA整合，Stratix 10 DRAM SiP得以支援使用者以高功率效益的方式訂製其工作負載，獲得最大記憶體頻寬，Altera與數十家客戶積極合作，在其下一代高階系統中整合了這些DRAM SiP產品。 Altera的異質架構SiP產品使用Intel的嵌入式多晶片互聯橋接（EMIB，Embedded Multi-Die Interconnect Bridge）技術來實現；EMIB技術採用高性能、高密度矽晶片短橋接在單個封裝中將多個晶片連接起來。EMIB技術的晶片之間走線非常短，支援Altera以高性能價格比的方式建構異質架構SiP元件，與採用中介層的解決方案相比，性能更好，傳輸量更大，而功率消耗更低。 Altera企業策略和行銷資深副總裁Danny Biran評論表示：「我們很多客戶在系統中實現需要大量運算的任務時，面臨最大的一個難題是如何支援越來越高的記憶體頻寬需求，這些系統包括機器學習、大數據分析、影像識別、工作負載加速和8K視訊處理等。Altera在單個封裝中同時實現了業界性能最好的FPGA與寬頻記憶體，在滿足這些系統需求方面有自己的優勢。還沒有其他可程式設計解決方案在性能、功率效益和記憶體頻寬上達到Stratix 10 DRAM SiP的水準。」 Altera的異質架構SiP策略是在單個封裝中整合單顆FPGA和先進的元件，例如，記憶體、處理器、類比、光學和各類硬式核心通訊協定等，因此高度整合的SiP產品將滿足通訊、高性能運算、廣播和軍事領域高階應用最嚴苛的性能和記憶體頻寬需求。 在極小的外形封裝中，SK海力士公司的寬頻記憶體不但頻寬非常高，而且功率消耗低於競爭的記憶體解決方案。寬頻記憶體（HBM2，High-Bandwidth Memory）縱向堆疊了DRAM晶片，使用直通矽晶穿孔（TSV，through-silicon vias）和微凸塊將其連接起來。在異質架構SiP中整合HBM2，這種實現方式讓Altera能夠將DRAM記憶體盡可能靠近FPGA晶片進行封裝，進而縮短了走線長度，以最低功率消耗實現最大記憶體頻寬。 高性能應用推動了業界對HBM2 DRAM技術的需求。SK海力士美國技術行銷副總裁Kevin Widmer表示：「達到每秒256GB頻寬，每位元功率消耗降低66%，HBM2開闢了新應用領域，這在以前是不可想像的。在單個系統層級封裝中整合高性能FPGA和HBM2，為高能源效益、寬頻運算功能樹立了重大的里程碑。」 |
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