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英飛凌高壓超接面 MOSFET 系列產品新增工業級和車規級元件, 用於靜態開關應用 ...

2023-8-1 11:23 AM| 發佈者: AlexMM@Sophie| 查看: 414| 評論: 0|來自: 臺灣英飛凌科技

摘要: 英飛凌擴大高壓超接面 MOSFET 系列產品新增工業級和車規級元件, 增加QDPAK頂部冷卻(TSC)封裝,導通電阻值僅為 10 mΩ,適用於開關電源(SMPS)、太陽能系統、電池保護、固態繼電器(SSR)、馬達啟動器和固態斷路器 ...
在靜態開關應用中,電源設計著重於最大程度地降低導通損耗、優化熱性能、實現精簡輕便的系統設計,同時以低成本實現高品質。為滿足新一代解決方案的需求,英飛凌科技股份有限公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴大其CoolMOS™ S7 系列高壓超接面(SJ)MOSFET 的產品陣容。該系列元件主要適用於開關電源(SMPS)、太陽能系統、電池保護、固態繼電器(SSR)、馬達啟動器和固態斷路器以及可編程設計邏輯控制器(PLC)、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器和(混動)電動汽車車載充電器等應用。
                   
該產品組合進行了重要擴充,新增了創新的 QDPAK 頂部冷卻(TSC)封裝,能夠在較小的封裝尺寸內實現豐富的功能。這些特性使得該元件在低頻開關應用中極具優勢,同時還可以降低成本。得益於新型大功率 QDPAK 封裝,這款元件的導通電阻值僅為 10 mΩ,在市場上同電壓等級產品中以及採用SMD 封裝的產品中屬於最低值。CoolMOS S7/S7A 解決方案通過最大程度地降低 MOSFET 產品的導通損耗,提高了整體效率,並提供了一種簡單易用且經濟高效的方式來提高系統性能。

CoolMOS S7 電源開關還借助已改進的熱阻來有效管理散熱,透過採用創新、高效的 QDPAK 封裝,減少甚至消除了固態設計中對散熱器的需求,從而使系統變得更加精簡和輕便。該系列 MOSFET產品提供頂部散熱和底部散熱兩種封裝形式,均能夠抵禦高脈衝電流,並應對突然的浪湧電流。此外,該系列 MOSFET產品還具有體二極體的穩健性,能夠確保在交流線路換向期間可靠運行。

由於所需的元元件較少,CoolMOS™ S7系列高壓超接面(SJ)MOSFET能夠減少零部件的數量,進而實現靈活的系統整合,降低BOM(材料清單)成本和總體擁有成本(TCO)。同時,該系列MOSFET 產品還能縮短反應時間,尤其在斷開電流時,能夠更加平穩、高效地運行。

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