領先於智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出一系列全新超高能效1200V絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT），具備業界領先的性能水平，最大程度降低導通損耗和開關損耗。這些新元件旨在提高快速開關應用能效，將主要用於能源基礎設施應用，如太陽光變頻器、不斷電系統（UPS）、儲能和電動汽車充電電源轉換。
新的1200V溝槽場截止（FS7）IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用於升壓電路提高母綫電壓，及變電回路以提供交流輸出。FS7元件的低開關損耗可實現更高的開關頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度並降低系統成本。對於高功率能源基礎設施應用，FS7元件的正溫度係數使其能夠輕鬆實現並聯運轉。 安森美資深副總裁暨電源方案部先進電源分部總經理Asif Jakwani說：「由於能效在所有高開關頻率的能源基礎設施應用中極為關鍵，所以我們專注於降低關斷損耗，這新系列的IGBT提供極佳的開關性能，其業界領先的性能使設計人員能夠在要求非常高的高功率能源基礎設施應用中滿足最具挑戰的能效要求。」 FS7元件包括高速（S系列）和中速（R系列）版本。所有元件都含一個最佳化的二極管，實現低VF，減少開關損耗，可在高達175℃的接面溫度（TJ）下工作。S系列元件如FGY75T120SWD的開關性能領先市場現有1200V IGBT。經7倍額定電流測試，這種高可靠性的IGBT產品展現出出類拔萃的抗閂鎖能力。R系列針對以導通損耗為主的中速開關應用如電機控制和固態繼電器進行了最佳化。 FGY100T120RWD在100 A時VCESAT低至1.45V，比前一代元件降低了0.4V。 FS7元件可採用TO247-3L, TO247-4L, Power TO247-3L等封裝，也可提供裸片，為設計人員提供靈活性和設計選配。 |
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