電氣化正在推動SiC半導體的增長，由於其具備快速開關能力、更低的電源損耗和更高的溫度效能，智慧移動、永續發展和工業等大型市場都趨向採用SiC電源解決方案。為協助電源設計工程師更輕鬆、快速和安心地過渡到SiC電源解決方案，Microchip Technology Inc.今日宣佈推出MPLAB® SiC電源模擬器，可在將設計提交給硬體之前，快速評估各種拓撲結構中的Microchip SiC電源元件和模組。
Microchip的MPLAB SiC電源模擬器是與Plexim合作設計的基於PLECS的軟體環境，提供線上免費工具，無需購買模擬授權。MPLAB SiC電源模擬器加速了各種基於SiC的電源拓撲結構的設計過程。客戶可以放心地在設計階段對SiC解決方案進行測試和評估。 Microchip碳化矽業務部副總裁Clayton Pillion表示：「追求SiC技術的客戶現在可以使用基於網路的MPLAB SiC電源模擬器，對設計進行效能測試並選擇最適合的Microchip SiC產品。憑藉在碳化矽領域二十多年的深耕，Microchip為客戶提供多樣化的SiC電源解決方案，並可輕鬆與其他Microchip配套元件進行整合設計。」 新工具通過提供全面的SiC評估，不僅可以提供珍貴的測試資料，還可以減少元件選擇時間，進而加快產品上市速度。如果一位電源電子設計師要在25 mΩ和40 mΩ SiC MOSFET之間選擇三相主動前端轉換器，就可以立即得到如元件的平均電源耗散和峰值結溫等模擬結果。 MPLAB SiC電源模擬器是OEM廠商為智慧移動、永續發展和工業應用設計電源系統的重要設計工具，相關應用包括電動汽車、車載/非車載充電、電源和電池儲存系統等。 Microchip的SiC產品組合包括具有最低寄生電感（<2.9 nH）的行業領先的電源模組封裝，以及具有最高額定電流的行業領先的3.3 kV分離式MOSFET和二極體。組合內其他產品還包括700V、1200V和1700V的晶片、分離元件和模組，以及AgileSwitch®可配置數位柵極驅動器。 這些SiC元件具有耐用性和優異效能，可提供預計超過100年的柵極氧化物壽命和無退化體二極體。在大功率應用中，SiC技術比矽絕緣柵雙極電晶體（IGBT）具有更高的系統效率、功率密度和溫度穩定性。 |
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