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Microchip推出業界領先的3.3 kV碳化矽(SiC)功率元件 實現更高效率與可靠性 ...

2022-3-22 02:49 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 383| 評論: 0|來自: Microchip Technology Inc.

摘要: Microchip 出業界最低導通電阻【RDS(on)】3.3 kV碳化矽MOSFET和市場上最高額定電流的碳化矽SBD,讓設計人員可以充分利用其耐固性、可靠性和性能。
牽引動力裝置(TPU, traction power units)、輔助動力裝置(APU, auxiliary power units)、固態變壓器(SST, solid-state transformers)、工業馬達驅動和能源基礎設施解決方案的系統設計人員需要借助高壓交換技術來提高效率和可靠性,並減小系統尺寸和重量。Microchip Technology Inc.今日宣佈擴大其碳化矽產品組合,推出業界最低導通電阻【RDS(on)】3.3 kV碳化矽MOSFET和市場上最高額定電流的碳化矽SBD,讓設計人員可以充分利用其耐固性、可靠性和性能。Microchip擴大的碳化矽產品組合為電氣化交通、可再生能源、航空航太和工業應用的設計人員提供了一套可以開發出更小、更輕和更高效的解決方案的工具。

許多矽基設計在提高效率、降低系統成本和應用創新方面已經達到極限。雖然高壓碳化矽為實現這些目標提供了一種有效的替代方案,但到目前為止,3.3kV碳化矽功率元件的市場供應是有限的。Microchip的3.3 kV MOSFET和SBD進一步完善了該公司包括700V、1200V和1700V裸晶、分離元件、模組和數位柵極驅動器在內的碳化矽綜合解決方案組合。

Microchip的3.3 kV碳化矽功率元件包括業界最低導通電阻為25 mOhm的MOSFET和業界最高額定電流為90安培的SBD。MOSFET和SBD均提供裸晶或封裝形式。這些更強的效能水準能協助設計人員簡化設計,創建功率更高的系統,並使用更少的並聯元件來實現更小、更輕和更高效的電源解決方案。

Microchip分離產品業務部副總裁Leon Gross表示:「我們專注於開發能為客戶提供快速實現系統創新能力的解決方案,並協助其最終產品更快的取得競爭優勢。我們全新的3.3 kV碳化矽功率產品系列能夠讓客戶輕鬆、快速而充滿信心地採用高壓碳化矽,與矽基設計相比,這一振奮人心的技術帶來的諸多優勢能讓客戶從中受益。」

在過去三年裡,Microchip已經發佈了數百個碳化矽功率元件和解決方案,確保設計人員能夠找到滿足其應用需求的合適的電壓、電流和封裝。Microchip在設計所有碳化矽MOSFET和SBD時都把客戶的信任放在心中,提供業界領先的產品耐固性和可靠性。公司遵循由客戶決定何時停產的慣例,只要客戶需要,Microchip就能繼續生產這些產品。

客戶可以將Microchip 的碳化矽產品與公司的其他元件相結合,包括8位元、16位元和32位元微控制器(MCU)、電源管理設備、類比感測器、觸摸和手勢控制器以及無線連接解決方案,進而以較低的總體系統成本構建完整的系統解決方案。

開發工具
與Microchip的MPLAB® Mindi™類比模擬模組和驅動板參考設計相容的一系列碳化矽SPICE模型為擴大後的碳化矽產品組合提供支援。智慧配置工具(ICT)使設計人員能夠為Microchip的AgileSwitch®系列可配置數位柵極驅動器的高效碳化矽柵極驅動器快速建模。

供貨
3.3 kV碳化矽裸晶和分離元件提供多種封裝選項,可批量訂購。

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