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安森美NCP1680 PFC控制器榮獲2021 PowerBest獎

2022-2-15 07:06 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 570| 評論: 0|來自: 安森美半導體

摘要: 安森美的NCP1680臨界導通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎,該控制器非常適合用於超高密度離線電源,在通用電源(90-265 Vac)下工作的功率水平高達350 W。 ... ...
領先於智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),很高興地宣佈,其領先市場的NCP1680臨界導通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎。這些獎項授予極少數幫助工程師創造勝選設計的電子電力產品,和表彰那些幫助實現這些設計的人,儘管2021年是極具挑戰性的(又)一年。


圖:安森美的NCP1680臨界導通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)控制器 (圖:安森美)

安森美的NCP1680獲頒該獎項,是因為其採用一個混合訊號控制器,獨一無二地實現了無橋圖騰柱PFC,為設計人員提供了一個很好的工具,可提高高效能電源的能效、降低成本和設計複雜度。該控制器非常適合用於超高密度離線電源,在通用電源(90-265 Vac)下工作的功率水平高達350 W。

無橋圖騰柱PFC拓撲省去傳統PFC電路輸入端的二極管電橋,在240 W電源的傳統PFC電路中使用該二極管電橋會產生約4 W損耗(約佔總損耗的20%),因而顯著提高功率級能效。NCP1680為以脈寬調變(PWM)開關頻率驅動的快速開關支路和以交流電頻率工作的支路提供控制訊號。該控制器幾乎可用於任何開關器件,從傳統的超級結矽MOSFET到基於碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)晶體管的寬能隙元件。

NCP1680採用新穎的限流結構和線路相位檢測機制,簡化無橋圖騰柱PFC的設計。其控制迴路支援具有谷值切換的恆定導通時間(CrM)架構。為滿足當今全球輕負載運作的能效標準,它在頻率折返運作期間,以谷值同步導通的斷續導通模式(DCM)工作。

採用NCP1680,在外部只需要一些簡單的元件就可做到功能齊全的圖騰柱PFC,從而節省空間和元件成本。進一步減少元件數量,無需採用霍爾效應傳感器即可實現逐週期電流限制。

NCP1680採用SOIC-16封裝,也可作為評估平台的一部分,支援快速開發和用於先進圖騰柱PFC設計的除錯。

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