推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)，推出實現新的高通快速充電3.0協議的參考設計。新協議的效能較現有快速充電2.0方案顯著提昇。高能效、小型的參考設計，支援高通用於智慧手機和平板電腦的下一代快速充電技術——快速充電3.0高壓專用充電埠(HVDCP) A類和B類規格，並兼容舊的快速充電2.0協議。高通快速充電3.0技術是高通子公司高通科技的產品。安森美半導體推出完整參考設計並符合UL認證，有助於可擕式應用的小型充電器的快速發展，提供領先業界的高效能。
這參考設計的亮點是新的NCP4371次級端充電控制器，支援充電器USB總線電壓根據手機或便擕式設備的需求而變化。為優化電池充電時間，USB總線電壓可在3.6 V-20 V以分立步驟控制。這新的充電控制器也適用於A4WP無線充電應用，電壓可基於參考設計的發射(TX)部分進行優化。 NCP4371也無需次級並聯穩壓器就能完成一個充電器設計，節省了成本和所需空間。初級端控制器是安森美半導體的NCP1361 PSR准諧振PWM控制器，同步整流控制器是NCP4305。這兩種控制器的結合成就高能效充電器的設計，符合歐盟能效標準(CoC Tier-2)要求。 安森美半導體AC-DC電源轉換部總監Shane Chilton說：「快速充電能力正迅速獲得所有便擕式設備廠商的認可。我們很高興能就下一代電源方案與高通合作，這符合我們致力為客戶提供創新高效能方案的策略。」 |
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