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意法半導體(ST)新功率MOSFET實現近乎完美的開關性能

2015-9-14 02:49 PM| 發佈者: SophieWeng@G| 查看: 1006| 評論: 0|來自: 意法半導體

摘要: 意法半導體MDmesh™ M2系列的N-通道功率MOSFET 再添新成員,能夠為伺服器、筆記型電腦、電信設備及消費性電子產品電源提供業界最高能效的電源解決方案,在低負載條件下的節能效果特別顯著,讓設計人員能夠開發更輕 ...
廣受市場歡迎的意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)MDmesh™ M2系列的N-通道功率MOSFET 再添新成員,新系列產品能夠為伺服器、筆記型電腦、電信設備及消費性電子產品電源提供業界最高能效的電源解決方案,在低負載條件下的節能效果特別顯著,讓設計人員能夠開發更輕、更小的開關式電源,同時輕鬆達到日益嚴苛的能效目標要求。

新款600V MDmesh M2 EP產品整合意法半導體經市場驗證的條形佈局(strip layout)和全新進化的垂直結構與最佳化的擴散製程(diffusion process),擁有近乎理想的開關設計,包括非常低的導通電阻和最低的關機開關損耗,是特別為超頻功率轉換器(f> 150 kHz)專門設計,為要求最嚴苛的電源供應器(PSU,Power Supply Unit)的理想選擇。

硬開關和軟開關電路拓撲均適用,包括諧振拓撲(resonant topologies),例如LLC諧振,新元件的開關損耗極低,特別是在低負載條件下,低損耗更為明顯。除MDmesh M2產品的閘極電荷(Qg)極低外,M2 EP產品的關機能源(Eoff )還可降低20%,而在硬開關轉換器中,關機損耗同樣降低20%。在低電流範圍內降低Eoff損耗,有助於提高低負載能效,進而協助電源廠商順利達成日益嚴苛的能效認證要求。

升級後的關機波形(turn-off waveforms)可提高諧振轉換器的能效、降低雜訊,每周期回收再利用更多電能,而不是以散熱的形式浪費掉。

新款MDmesh M2 EP系列的主要特性:
極低的閘極電荷(Qg低至16 nC)
針對輕負載條件最佳化電容曲線(capacitance profile)
針對軟體開關最佳化Vth和Rg參數
穩健的本體二極體(body diode)

MDmesh M2 EP系列鎖定需要高能效的電源應用,提供多種封裝選擇(PowerFLAT 5x6 HV、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、I2PAKFP、TO-247),所有產品均已量產。

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