鍺電晶體：蟄伏半個世紀，挑起下一代LSI重擔

2015-1-14 09:59 AM| 發佈者: chip123| 查看: 1100| 評論: 0|來自: 日經技術在線

摘要: 當製程技術的發展將到10nm以下時，矽電晶體即將面臨微小化的極限，由於材料特性，蟄伏了半世紀的鍺(Ge)再次受到關注...

在1947年問世，直至1960年代，鍺(Ge)都是電晶體的基礎材料；到了 1970 年代大型積體電路 (LSI) 出現後，矽(Si)即成為半導體的代名詞。

然而，當製程技術的發展將到10nm以下時，矽電晶體即將面臨微小化的極限，由於材料特性，鍺再次受到關注，並可望於10nm~7nm製程以後的邏輯LSI的量產導入。

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【撰稿人 Aaron_Huang】

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