摘要: 美國史丹佛大學的研究人員們在2014年底的國際電子元件會議(IEDM)上展示了真正的 3D 晶片。
美國史丹佛大學(Stanford University)的研究人員們在2014年底的國際電子元件會議(IEDM)上展示了真正的 3D 晶片。
大部份的 3D 晶片採用矽穿孔(TSV)的方式推疊不同的製造晶片，而史丹佛大學所展示的是在標準的互補式金屬氧化物半導體(CMOS)上堆疊任何層數的邏輯與記憶體。在IEDM上，史丹佛大學在 CMOS 晶片上堆疊了2層的金屬氧化物電阻型隨機存取記憶體(PRAM)，以及1層利用碳奈米管(CNT)作為電晶體通道的邏輯電路。
