2019年全球晶圓廠設備投資金額將下修

根據SEMI（國際半導體產業協會）最新公布「全球晶圓廠預測報告」（World Fab Forecast Report），2018 與 2019 年全球晶圓廠設備投資金額將下修，2018 年的投資金額將較 8 月時預測的 14% 成長下修至 10% 成長；2019 年的投資金額更將從原先預測的 7% 成長，下修至8% 衰退。

甫進入 2018 時，全球半導體晶圓廠設備市場原先預測將延續罕見的 4 年連續成長直至 2019 年。但其實早在今年 8 月時，SEMI 綜合收集分析全球超過 400 間晶圓廠主要投資計畫後，便預測 2018 下半年至 2019 上半年晶圓廠投資金額將呈下滑態勢。有鑑於近期的市場情勢，下滑幅度恐將較原先預期更為劇烈。

(表一) 全球分區晶圓廠投資金額，包含新、二手、自製的晶圓設備投資。

報告指出，2018 下半年及 2019 上半年晶圓設備銷售金額分別將下滑 13  及 16 個百分點，直至 2019 下半年才有望出現轉圜。

SEMI 台灣區總裁曹世綸表示，「記憶體價格下跌與中美貿易戰之下導致公司投資計畫改變，為晶圓廠資本投資快速下滑兩大主因，其中又以先進記憶體製造商、中國晶圓廠、及 28 奈米或以上成熟製程業者的資本支出縮減影響全球市場最劇。」

記憶體

繼今年年初 NAND flash 價格急遽下滑後，DRAM 價格也在第四季鬆動，連兩年的 DRAM 盛世恐將結束。存貨調整及 CPU 產量不足預測將導致更劇烈的價格滑動。

記憶體業者快速反應市場情況，並減少資本支出，並暫緩所有已訂購設備出貨。NAND flash 相關的投資甚至將出現2位數的衰退。 修正先前記憶體資本支出將成長 3% 的預測，2019 年整體記憶資本支出將下滑 19%，其中 DRAM的下滑最為劇烈，下滑幅度達 23%，3D NAND 則下滑 13%。  

以地區來看，中國及韓國為投資金額下滑幅度最大兩個地區。

中國

2019 年中國的晶圓廠設備投資金額從原先預測的 170 億美元下修至 120 億美元。原因包括記憶體市場、中美貿易緊張關係、及建廠計畫延宕等，包括SK Hynix、GLOBALFOUNDRIES、聯電、中芯國際等半導體製造領導業者皆暫緩在中國的投資力道，福建晉華案也使DRAM的投資計畫暫停。

韓國

2019 年韓國的晶圓廠設備投資金額以 35% 的下滑幅度，從原先預測的 170 億美元大幅下修至 120 億美元。三星減緩投資預期將從 2018 年第四季延續至201 9年上半年，其中受影響最劇的為P1及P2的第一階段，S3的時程也將受到影響。註1 

(註1) P1, P2 第一階段, 及 S3皆代表晶圓廠的名稱

並非所有記憶體製造商減少資本投資

雖然晶圓預測報告中指出大部分的記憶體廠皆計畫減少資本投資，但美光例外。2019 年美光預期將投資約 105 億美元，相較於 2018 年的 82 億美元投資金額提高約 28%。這筆投資主要計畫用於擴張及升級既有廠房設施，但針對NAND 的投資將較今年少。

成熟製程未來市場仍樂觀

記憶體以外如光電、晶圓代工、類比及混和訊號 IC、微控制及處理器等其他領域，資本投資力道將持續。

光電半導體，尤其是 CMOS 影像感測，將成長 33% 達 38 億美元；微控制器、微處理器及數位訊號處理器將成長 40% 達 48 億美元；
類比及混合訊號 IC 投資將成長 19% 達 6.6 億美元。另外，在晶圓代工方面也將成長 10% 達 130 億美元。

曹世綸總裁總結近三年的半導體產業成長主因，「其一為記憶體 (包含 DRAM及 3D NAND Flash)，其中單單三星一間公司前所未有的大手筆投資，更是造就整體半導體市場大躍進的主因，也使得其他記憶體業者連帶受惠。另外，中國的鉅額投資也讓整體半導體市場預期自 1990 年代就未曾出現過的 4 年連續成長態勢。」然而，成也蕭何，敗也蕭何。庫存調整及貿易戰威脅下，記憶體與中國成為兩大反轉市場成長的主因，連續 4 年成長紀錄也將無法維持。

自 2018 年 8 月發布後，全球晶圓報告更新次數達 260 次。這份報告中紀錄了超過 1280 項現今及115 項條未來前段半導體晶圓廠房設施設備投資，包含從量產到研發用途。相關預測包含 2019 年各晶圓廠的全年各季資料（支出、產能、技術製程、晶圓尺寸與產品類型）。

SEMI 全球晶圓預測報告檢視各前段製造業者的資本支出，而 SEMI 每半年發布一次的半導體設備銷售預測報告則綜合從各大前後段設備製造商及已公布的資本支出計畫推論。