意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）的BiCMOS55 SiGe 先進技術獲歐洲E3NETWORK研發專案採用，用於開發適合下一代行動網路的高效率、高容量數據傳輸系統。 為因應行動數據使用量的迅速成長，網路系統必須支援更大的容量及更高的數據傳輸速率。而如何加快行動網路向先進網路架構轉型的速度，對回程線路（backhaul）基礎設施是一個新的挑戰，例如異質網路（Heterogeneous Network）與雲端無線存取網路（Radio Access Network，RAN），其中更高頻段（例如E-band ）可提供更廣泛的頻譜，以支援更快的數據傳輸通道。 建設這些超高效率的行動網路，設備廠商必須要擁有高性能且低功耗、低成本的大規模整合電路電子元件。E3NETWORK研發專案利用意法半導體的高整合度、低功耗BiCMOS55Si製程，開發出55奈米微影的Ft高達320GHz的異質接面雙極電晶體（Heterojunction Bipolar Transistors，HBT）。這項製程允許在一顆晶片上整合高頻類比模組及高性能、高容量的數位模組，例如邏輯電路、AD／DA轉換器和記憶體。 E3NETWORK專案採用意法半導體的BiCMOS55製程，目前正在研發一個整合化的E-band收發器，將用於去程線路（Fronthaul）及回程線路網路基礎設施，以實現數位多層調變，及高度聚焦的筆形束（Pencil-beam）傳輸，數據速率可高達10Gbps。筆形束的特性有助於提高回程線路及去程線路網路頻率再使用率，同時在毫米波段（millimeter-wave）間隔期間確保頻譜效率（Spectrum efficiency）不受影響。 作為歐盟第７框架計劃中的一項專案，E3NETWORK （Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks）匯集了眾多企業，其中包括CEIT（西班牙）、Fraunhofer（德國）、阿爾卡特朗訊（義大利）、CEA（法國）、INXYS（西班牙）、OTE （希臘）、SiR（德國）、Sivers IMA（瑞典）以及意法半導體（義大利）。 |
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