TI 推出新型且立即可用的600-V GaN FET功率級產品組合實現高達10 kW應用 ... ...

通過2000萬小時的裝置可靠度測試，高壓GaN FET整合驅動與保護功能並在工業和電信應用中將功率密度提高一倍

(台北訊，2018年11月1日)德州儀器（TI）近日宣布推出新型且立即可用的600 V氮化鎵（GaN）、50mΩ和70mΩ功率級產品組合，能支援高達10 kW應用。與應用於AC / DC電源供應器、機器人、可再生能源、電網基礎設施、通訊和個人電子的場效應電晶體（FETs）相比，LMG341x產品系列能協助工程師打造更小、更高效且更高性能的設計。欲瞭解更多資訊，請參考Link-LMG3410R050、Link-LMG3410R070 及Link-LMG3411R070。

TI 的GaN FET產品系列擁有整合獨特的功能與保護特性，不僅簡化設計，同時實現更高的系統可靠度與最佳化高壓電源供應的性能，進一步為傳統串接(cascade)和獨立(stand-alone)的GaN FET提供了智慧替代解決方案。透過整合的 <100 ns電流限制和過熱偵測 (overtemperature detection) 功能，此裝置可防止意外的直通事件 (shoot-through)與熱失控 (thermal runaway)發生，且系統介面訊號提供了自我監測的能力。

LMG3410R050、LMG3410R070 與 LMG3411R070的主要特性和優勢

·   更小、更有效率的解決方案：與矽的金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFETs）相比，TI的整合式GaN功率級可將功率密度提高一倍，並降低功率損耗達80%。每個裝置皆具備1 MHz高速開關頻率和高達100 V / ns的電壓上升斜率(slew rates)。

·   系統可靠度：此產品組合通過2000萬小時的裝置可靠度測試，包括加速與加速及in-application硬開關試驗。此外，每款裝置均提供整合的散熱、高速與100 ns過流保護，以防止發生直通和短路事件。

·   適用於各式功率級別的裝置：在50mΩ或70mΩ條件下，產品組合中的每個裝置均提供GaN FET、驅動器與保護特性，為小於100 W至10 kW的應用提供單晶片解決方案。

於德國慕尼黑電子展(electronica)造訪TI

TI將於德國慕尼黑電子展（2018年11月13日至16日）的C4展廳131攤位展示10kW的雲端電網應用。此為TI與西門子聯合開發，其中採用了TI的LMG3410R050 600V GaN FET，並整合驅動器和保護功能。與傳統的矽設計相比，不僅能讓工程師實現99%的效率，更減少了功率零組件尺寸達30%。

封裝、供貨與定價

這些裝置均採用8mm×8mm split-pad、四方扁平無引線（QFN）封裝，現已可於TI store購買。LMG3410R050、LMG3410R070 與 LMG3411R070的售價分別為 $18.69美金、$16.45美金與 $16.45美金(基本訂購量以1000個為單位)。

瞭解更多有關LMG3410R050、LMG3410R070 與 LMG3411R070的產品資訊

·   閱讀部落格文章，空間減半、功率倍增：氮化鎵如何徹底改變機器人、可再生能源、電信等產業？，並於Power House瀏覽更多有關 GaN的部落格文章。

·   使用LMG3410EVM-018、LMG3410-HB-EVM 和 LMG3411EVM-029評估模組，快速啟動電源設計。

·   下載應用報告：

o  高密度電源設計中的過流保護

o  設計GaN功率級的散熱考慮因素

·      探索TI完整的GaN 電源產品組合解決方案。

今日德州儀器產品市場工程師黃陸建(左)及半導體行銷與應用類比IC應用經理蕭進皇(右) 對推出新型GaN FET 產品系列進行詳細解說。 攝／周巧薇