意法半導體新款650V IGBT 可大幅提升20kHz功率轉換應用的能效

意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新款M系列 650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷且經濟實惠的能效解決方案，適用於暖通空調系統（HVAC）馬達驅動器、不間斷電源、太陽能轉換器以及所有硬開關（hard-switching）電路拓撲20kHz功率轉換應用。

採用意法半導體的第三代溝槽式場截止型（trench-gate field-stop）低損耗製程，M系列IGBT擁有一個全新溝槽／通道閘（trench gate）和特殊設計的P-N-P垂直結構，能在導通損耗和開關損耗之間找到了最佳平衡點，從而最大幅地提升電晶體的整體性能。在150°C初始接面溫度時，最小短路耐受時間為6µs，175°C最大工作接面溫度及寬安全工作範圍有助於延長元件的使用壽命，同時提升對功率耗損有極高要求的應用可靠性。

此外， 新產品封裝亦整合了新一代穩流二極體（Free-wheeling Diode）。新款二極體提供快速恢復功能，並同時保持低正向電壓降及高軟度。此項設計不僅可實現優異的EMI保護功能，還能有效降低開關損耗。正V_CE(sat)溫度係數結合緊密的參數分佈，使新產品能夠安全平行，並滿足更大功率的要求。

M系列產品的主要特性:

•              650V IGBT，大部分的競爭產品都是600V；

•              低V_CE(sat) (1.55V @25°C)電壓，能夠最大幅度地降低導通損耗；

•              出色的穩健性，擁有廣泛的寬安全工作範圍以及無鎖定效應（latch-free operation）；

•              業界最佳的E_tot - V_ce(sat) 平衡比；

•              175°C最大工作接面溫度;

•              高溫下的短路耐受時間最短6µs;

•              電壓過衝非常有限，確保關機期間零振蕩