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[問題求助] 製成變換跟mos 大size的關係

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1#
發表於 2007-10-8 17:46:05 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
有一組可以在tsmc.18製成下work的電路% X+ g+ C9 O$ h5 j, k

( s, Q2 ?$ S* w, M# y3 U如果改用tsmc.35來設計時 mos大小可以照倍數調整嗎?!& Z* l' o% h: D! }. R) j

/ v. F! }  F& y% [如果可以 倍率約是多少呢??/ p; y8 a! M. h  i
. k* p0 P# ]$ \, @
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2#
發表於 2007-10-8 19:42:31 | 只看該作者
基本上應該不行直接換1 z# F4 r. U  S, S- k
SPICE Model不同' I( P# Z3 W+ c3 _/ ^+ g3 V
參數也不同1 _+ n: {1 f9 C# t* s( B1 r
應該無法直接比例放大8 u9 W( U7 u9 x+ P

" i" C# Q( ~6 O8 C# N- C可是如果數位電路可能可以$ {; _  g4 V0 w7 i# o" D
不過放大Rail Time and Fall Time可能會變差
3#
發表於 2007-10-18 09:35:51 | 只看該作者
其實這一部份!! 要看你的規格需求吧!!
# F2 }  C6 K( q! x6 h; @+ {8 e同樣的  0.18um 的製程!!  都不一定相同!!
& N* W; x- q4 O4 a" u所以  最好依你自己的規格  重新設計會比較佳!!
4#
發表於 2007-11-29 17:48:56 | 只看該作者
還是重畫吧..雖然是同晶圓廠但製程是差了一萬八千里..看看Design Rule你就知道了..雖然之前聽說有一個可以改廠..改製程的軟體但聽說跑完之後還是有一堆Rule要改.......蠻費時的..要不然..你覺得Design  要 Layout 幹麻...  當然..萬一IC不會動..拿來推卸責任...是另一種功能....!!
5#
發表於 2007-11-29 17:58:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

早期LAYOUT 用參數制4 D/ `, }5 P& q7 R( j# z- ?
就是想這樣做+ P% d# R8 G( b
後來發現不行/ s3 Y& r  `  l& E9 }* Y! _
不是每ㄍ都按相同比例
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