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提供一個之前用的方法,
8 M/ F0 s* c5 l# A I$ F- C6 H由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
) W* Z0 z* W/ f在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
1 O, I- L, h1 a kVGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値& @- `! ]! y% {1 N4 ?( |3 U# `
! y$ p+ m/ [6 E6 A; H由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)% B8 c) B2 m4 i, S) {
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
3 h+ B3 p& d: R) y0 `由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
/ ~6 d5 r+ w9 `故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
) Y1 M/ I, R7 j2 I6 C, ]3 G+ E0 ^0 s P- ?
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
5 ?* X$ H9 D7 X$ i& PKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]% R1 W# K' S( e: F! h9 R8 X
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]% i0 K9 M9 y- V2 q* V% t5 ?
/ l6 F) o, Z( e. b4 j/ p% g之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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