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提供一個之前用的方法,
8 x8 r e& _9 f# K由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)+ u) z) T/ u0 H. E
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,, M& q! |/ c% z4 ?( T0 y0 d8 i
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
) C# k) @; v: `% v0 o4 z: v
; |0 |- k' s- |. y由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)( q; V. a- _% {4 r s% i
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
- F4 N6 o4 y0 d+ H$ {由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
( |( D6 u3 h4 Y! Q故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
% S$ w3 _; o s* Z& S
) Q, J3 J' r H" X. `6 U將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值% P n2 C1 Q2 M0 A& V0 r0 {* \
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
; @7 T2 B+ _; v* x = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
6 s) Z ~# O" A% y/ z u% N, ~/ f5 A/ Q1 q r: V
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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