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提供一個之前用的方法, 2 U; F) E7 X+ K" |* R: C% g
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
+ @0 i. D- i) h2 d) m在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,4 E& U5 y; [% s7 ~8 l' ?
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値0 @# S+ a% ], ]+ Q) Z$ X7 Z
. t! R' A# E" Q: e A1 J
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)4 O& c" k% S. l
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]& b) r& S! Q6 O
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)+ H. G9 c4 A- J" q: Z) @' U" r
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
6 M9 D) c3 I2 M' m: N. W& P* z0 X3 T
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值0 a- l' J" G" L: r6 F/ @
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
. d* c1 U8 i" l = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]- Z- B& W% Q8 u# y4 d. W @, G
( p: b* J0 ], N, g' ?9 t
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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