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提供一個之前用的方法, e( W4 }: `$ ?# N1 G
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)
) m5 r" n( `$ z# ~- k在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的," B/ X i4 |0 g7 j- M
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値( H2 a3 B0 C/ }' ]' t% }+ }4 t& w* C
$ k0 `8 y2 o: _4 u# s% c由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)% d1 H+ j% F; F0 k* \8 M2 a
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2], H$ S& h$ x- _3 U/ L1 k$ m
由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2), |2 B$ _% N( ]" \
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)+ {* W) P, Q3 K0 W Y6 \" e
) A& ~9 z, f! a將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值. C- i) E) N+ C% S
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]& o( R5 ^" m1 s) c8 e. A
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]( h( Q! i- @& B$ f" p7 F# z2 ~7 J; I
3 k9 M+ s( g9 n8 c" z
之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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