e-fuse?

fashion100

The information of eFuse is useful for me ~~~

kivv.zhou

The information of eFuse is useful for me

sam7186

回復 2# finster

# Q2 t9 S: B# K* F
2 o8 N3 y2 W5 j7 s1 A    感謝分享,最近剛接觸收益良多

andy2000a

e Fuse 就是FT TRIM 方式 因為 PACKAGE 後BANDGAP 電壓會飄 6mv (paper)   所以如BANDGAP RFE 要準到 1MV

1 j5 m$ p( S& t得如此
0 K* e* `2 h0 x% q! l5 ^
# w* k+ J( W0 e* Z一般 使用 POLY FUSE 燒有RISK是萬一第一次沒燒斷變高阻抗就燒不了
0 e0 P1 c* F' Z, x7 d, AMETAL FUSE 當EFUSE 是可以 但是  VANGUARD 本身有IP  有提到如果 每次READ 都留電流會慢慢燒EFUSE
) ?' }3 D! C- l6 K8 I
一般做法是POWER ON 先READ 後就不再去讀E FUSE 可降低問提
: `; O$ \" a& i7 e5 A, _5 c還有 FUSE燒 on  off  impedance 要有資料
3 v  K" E# W5 u2 O
VANGUARD 有

cchanglouis

感謝各位無私分享, 請問有無efuse SEM照片可分享.謝謝
3 k* g" Y. ?0 ~$ f3 E
  u/ C' k9 F& Q/ u: HLaser fuse 可用高倍率顯微鏡看到..但願還沒看過efuse的..

memcad

回復 11# emcthomas
( o2 t$ F: P3 x8 O  u0 c* @2 M

2 S2 B# Z6 d7 D    OTP工艺太贵了，目前用Poly fuse的多，注意trim电流要大于10mA以上，trim路径上的电阻要够小。

jackrabbit

感謝大大提供e-Fuse的資訊，學習到了！
雖然公司也使用了OTP，但royalty貴的很，還是自己做e-Fuse比較實在 ...
, w: K7 w2 f% f& K7 M8 k9 q1 gbillycsu 發表於 2013-1-24 01:54 PM

4 V0 G% _4 f' y7 ~剛好看到這個討論
e-fuse自己做, 風險很高!! 光是 reliability 就是個問題~
大部份的人都認為燒斷之後就是兩端沒接上的意思, no!
8 }7 T$ P% l' X6 k8 f+ }這個"斷"並不是真的就完全開路, 除了可能斷不乾淨之外
; i. p6 p5 r0 _) q% k還有recovery的問題!
- e8 f; g. `, r  W( V% o可能chip用了一陣子之後你會發現讀出來的值錯了, 原本斷的fuse又接上了!
這種事只有親身遇過才知道....
/ B, `2 b- O; X: X2 n( Y至於原理可以去查查 failure analysis 的書
: O5 \. d; S) V8 i, G
前陣子剛好有機會跟某製程廠的IP部門副總聊到這個問題
他也confirm了這點~
他特別強調使用IP一定要在spec上的電壓/時間範圍/sequence下操作, 他們才guarantee
所以為了產品的reliability, 有些錢還是得花....

張宥駿@FB

感謝分享解釋得非常清楚。

AIC6632

多謝大家的詳細解說
小弟做test key失敗好幾次
/ F3 r# W* G  a  V9 e: a7 `果然沒有ＦＡＢ幫忙
1 n9 m. S/ L; H3 G要花很多時間

zyh

谢谢各位大佬，有用哦~~~~~