e-fuse?

fashion100

The information of eFuse is useful for me ~~~

kivv.zhou

The information of eFuse is useful for me

sam7186

回復 2# finster
) K8 q, V) P3 F

    感謝分享,最近剛接觸收益良多

andy2000a

e Fuse 就是FT TRIM 方式 因為 PACKAGE 後BANDGAP 電壓會飄 6mv (paper)   所以如BANDGAP RFE 要準到 1MV
) @. g( d7 J0 x3 @6 Y& n
得如此
5 `) q4 A+ E# G9 X' a: \
7 Z6 I1 C" r4 h) z( i3 h一般 使用 POLY FUSE 燒有RISK是萬一第一次沒燒斷變高阻抗就燒不了
METAL FUSE 當EFUSE 是可以 但是  VANGUARD 本身有IP  有提到如果 每次READ 都留電流會慢慢燒EFUSE

一般做法是POWER ON 先READ 後就不再去讀E FUSE 可降低問提
. y! ~' x' T$ j還有 FUSE燒 on  off  impedance 要有資料
, k  W, s1 u; J* P. w% c' W
VANGUARD 有

cchanglouis

感謝各位無私分享, 請問有無efuse SEM照片可分享.謝謝

% s' f: ~% {) X& WLaser fuse 可用高倍率顯微鏡看到..但願還沒看過efuse的..

memcad

回復 11# emcthomas
; D, E1 V+ u' m
( U  x2 @' i6 b
" [: O% g6 n, a5 p) l    OTP工艺太贵了，目前用Poly fuse的多，注意trim电流要大于10mA以上，trim路径上的电阻要够小。

jackrabbit

感謝大大提供e-Fuse的資訊，學習到了！
- a; n2 Z5 x+ s7 b& U雖然公司也使用了OTP，但royalty貴的很，還是自己做e-Fuse比較實在 ...
billycsu 發表於 2013-1-24 01:54 PM

+ I- V3 o& {% P% K剛好看到這個討論
7 H# C3 M$ w7 J( }) \: O) Ve-fuse自己做, 風險很高!! 光是 reliability 就是個問題~
* N! l1 I& b* x1 O" j5 p. d* l大部份的人都認為燒斷之後就是兩端沒接上的意思, no!
8 I! W. s8 W6 t這個"斷"並不是真的就完全開路, 除了可能斷不乾淨之外
還有recovery的問題!
$ l8 {4 K. A: f# X* U0 X- C可能chip用了一陣子之後你會發現讀出來的值錯了, 原本斷的fuse又接上了!
這種事只有親身遇過才知道....
至於原理可以去查查 failure analysis 的書
# [) G# N: R& g& X
前陣子剛好有機會跟某製程廠的IP部門副總聊到這個問題
他也confirm了這點~
3 {0 d" Y4 A7 u1 x他特別強調使用IP一定要在spec上的電壓/時間範圍/sequence下操作, 他們才guarantee
所以為了產品的reliability, 有些錢還是得花....

張宥駿@FB

感謝分享解釋得非常清楚。

AIC6632

多謝大家的詳細解說
0 M3 {! O$ X4 s- _1 m5 X小弟做test key失敗好幾次
果然沒有ＦＡＢ幫忙
  G8 z$ d9 O+ y$ }要花很多時間

zyh

谢谢各位大佬，有用哦~~~~~