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[研討會] 記憶體現況與發展趨勢研討會

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發表於 2007-8-17 14:36:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
近年來由於台灣記憶體業者積極投資12吋晶圓廠與先進製程的技術研發,台灣不論在產能或製程上的能力早已躋身世界水準,爰此,工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)謹訂於8月28日及8月29日,假新竹科學園區科技生活館及台大集思會議中心舉辦 『記憶體現況與發展趨勢研討會會中將由工研院IEK之產業分析師,針對目前主流記憶體與次世代記憶體發展趨勢等議題,提供最新最完整的資訊及趨勢分析。

2006年DRAM及NAND Flash產品佔全球記憶體市場的比重合計高達近八成,並位居前二大。在全球記憶體市場的重要性不言可喻。全球DRAM及NAND Flash廠商在12吋晶圓廠的世代交替過程中,版圖也發生的巨大的變化。廠商之間策略聯盟的活動日益頻繁,德商Qimonda與台灣Nanya的結盟,日本Elpida與台灣Powerchip的結盟,南韓Hynix與台灣ProMOS的結盟,都成為左右全球DRAM版圖的重要勢力。台灣DRAM公司12吋晶圓廠產能的急速擴增對全球DRAM市場的衝擊等也都是產業關注的焦點。NAND Flash市場方面,Intel與Micron合資成立IM Flash、Qimonda宣佈暫時退出、Renesas的淡出,與Hynix的崛起等,使得近年紊亂的NAND Flash競爭情勢(廠商家數眾多)塵埃落定,然而一場技術、產能及市場的激烈爭戰才要開始。台灣廠商又能在NAND Flash市場中扮演何種角色。此場演講IEK彭國柱分析師將從DRAM及NAND Flash的市場趨勢、產能發展、產業競爭情勢等方面切入,進行解析,找出市場的機會及避開潛在的風險。

根據Gartner Dataquest於2007年3月的報告中指出,2006年Flash營收總額已超過二百億美元。而Flash受到手機多媒體的需求帶動下,將朝向更大容量、更高讀寫速度邁進,但目前所使用的Floating Gate Flash技術,在45nm之後將會面臨製程微縮上的瓶頸。

面對Flash所將面臨的技術瓶頸,許多先進廠商投入鐵電記憶體(Ferroelectric Random Access Memory;FeRAM)、磁阻記憶體(Magnetoresistance Random Access Memory;MRAM)及相變化記憶體(Phase Change Memory;PCM)等次世代記憶體的開發,為未來非揮發性記憶體市場進行更長遠的佈局。這些次世代記憶體與現今主流的非揮發性記憶體Flash,有著截然不同的設計原理,及其優越的效能。此場演講IEK陳俊儒分析師除了剖析次世代記憶體對Flash的影響外,也深入探討對其它主流記憶體,像是DRAM及SRAM的市場衝擊。IEK陳俊儒分析師將分享如何從效能成本、專利及廠商狀態各方面,去推測次世代記憶體的未來發展趨勢,進而提出台灣產業機會分析。敬請蒞臨指導,以期分享您的經驗。
主辦單位:工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)

【新竹場】時間:2007年8月28日(星期二) 13:00 ~ 15:40

     地 點:新竹科學園區科技生活館203會議室(新竹科學園區工業東二路1號)
【台北場】時    間:2007年8月29日(星期三) 13:00 ~ 15:40
     地 點:台大集思會議中心柏拉圖廳(台北市大安區羅斯福路四段85號B1)
議         程:
時間
議題
講師
13:00~13:40
Registration
13:40~14:30
主流記憶體發展趨勢與台灣業者機會分析工研院IEK
彭國柱 分析師
14:30~14:50
Tea break
14:50~15:40
次世代記憶體發展趨勢與台灣業者機會分析工研院IEK
陳俊儒 分析師
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