想請問那裡查詢的到簡單的反相器設計電路實例

yhchang

一般的人 講的基本閘
2 d- W& _5 k4 v7 d( ]; e並不是 AND 跟 OR
6 E! L5 {2 N  i: ?) h  \
9 _5 j! W  D; O1 S% Z. f" }& M- n而是NAND Gate 與 NOR  Gate
8 r( b4 G8 a# V) M% [7 Z3 \* S這兩種電路都是兩個PMOS與 兩個NMOS組成

只是差別在

% E$ s% |  I% Q, z' }. o. e/ SNAND gate:  下面兩個NMOS   串聯,  上面兩個PMOS並聯
NOR   gate:    下面兩個NMOS  並聯,  上面兩個PMOS串聯

yhchang

我認為所謂基礎扎實的觀念是
LAYOUT除了要會畫不同類型電路的佈局圖之外
5 f' j* A3 w8 D1 U0 ]/ ]! }也要懂一些基礎觀念
3 n  f# d3 n( p5 H一個是  一個Silicon是怎麼做出 IC的
4 c' x2 {5 _7 t' R( s3 M這就牽扯到  積體電路製程概論
. Z1 _; q( m, {! l  m另外一個是  一些 Latch-up  ESD 還有基本的MOS 操作區域的觀念
2 w% l" g+ n: |' t1 }以上這些東西  都可以在任何一本VLSI的課本中 學到
' L* I( \: y2 U. n# q3 e
0 m+ P+ \( H( Q5 w# B- s所以把VLSI 積體電路設計概論的課本 讀熟讀通 應該是LAYOUT工程師
2 ~8 c' W' ^6 x  {的理論基礎吧

yhchang

即使沒有畫出  反相器的 LAYOUT

( G( F8 X( _- @& _2 ]也會知道  好的反相器就是  rising/falling 時間 必須要盡量接近
* G3 d1 z9 ]0 H6 c0訊號 通過反相器的delay 與 1訊號通過反相器的delay  的skew也要盡量接近
如果反相器用的SIZE大  要怎麼畫 FINGER
finger 要怎麼擺 會比較能夠抵抗 process variation

1 N& f( }1 e( V% {$ l7 r其中  如6樓所說     PMOS 與 NMOS在 相同的 Length情況下
6 |9 F7 Y+ U; t7 Q2 |PMOS width必定是  NMOS width的兩到三倍

0 S. u5 ^: K2 U4 f* g  T/ a其原因是因為  不管是哪一家的製程
遷移率 (mobility)  NMOS都是PMOS的兩到三倍
8 C, ^; q$ F7 ^( @7 v3 m8 [/ ]$ l/ ~所以 PMOS 必須使用兩到三倍的 W/L
  P: v; c1 s. ~, g' q才能得到  跟NMOS一樣的Idsat
, s6 R+ U+ g7 O1 G2 ?0 ~+ ?0 _6 ]
這也反映了 其實LAYOUT也需要懂一點元件物理的觀念
1 c1 o) ?& P& E4 I這對找工作絕對是加分.