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發表於 2008-2-3 18:58:20
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回復 6# 的帖子
即使沒有畫出 反相器的 LAYOUT
7 a6 T5 e; E1 o2 h: a# p+ c* U6 R( h. D. K R, _
也會知道 好的反相器就是 rising/falling 時間 必須要盡量接近
8 ?* ~* L4 b# B1 u" N: r0訊號 通過反相器的delay 與 1訊號通過反相器的delay 的skew也要盡量接近
[( y6 v+ q. q# D; k如果反相器用的SIZE大 要怎麼畫 FINGER# J8 X# e* Z K( T! e$ n5 Z [
finger 要怎麼擺 會比較能夠抵抗 process variation3 `! T+ u3 E1 J* N) ^3 t
5 o x9 B' E* n" |/ Z+ }
其中 如6樓所說 PMOS 與 NMOS在 相同的 Length情況下
. t; f8 u; P! b0 R; C% d" X; c6 c iPMOS width必定是 NMOS width的兩到三倍! v5 F8 |- u! g, }
+ l% L$ ~0 p2 x+ u; U9 x- O6 L其原因是因為 不管是哪一家的製程
$ o M" `# W, f6 U4 r遷移率 (mobility) NMOS都是PMOS的兩到三倍
8 k' Q: R8 ~: d所以 PMOS 必須使用兩到三倍的 W/L
# Z8 e+ f& Y, s1 P; b; K9 p; S# G6 M才能得到 跟NMOS一樣的Idsat, n! V: d% j* L6 s1 @2 H
; N, ~# i0 }* t) y ]# Q$ H
這也反映了 其實LAYOUT也需要懂一點元件物理的觀念1 W# o X# m4 ^8 b
這對找工作絕對是加分. |
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