英飛凌勝出汽車電子市場達44%，站穩全球市場第二的地位

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英飛凌推出新型汽車電源管理 40V P通道 OptiMOS? P2 系列 提升EPS、馬達控制以電動泵的能源效率並節省成本  

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% {2 O  K, X7 n& |7 R1 N【2011 年 9 月 6 日台北訊】英凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 宣佈推出採用先進溝槽技術製程的最新單一 P 通道 40V 汽車電源 MOSFET 系列產品。新型 40V OptiMOS? P2 產品為提升能源效率、減少 CO2 排放及節省成本設立新的基，再次強化了英飛凌在未來汽車應用電源理方面的領導地位。

" K4 q# V* N( `! l3 \英飛凌新型P 通道 40V MOSFET系列產品具備業界最低的 RDS(on)，並提供電流範圍 50A 至 180A 的各種標準封裝方式，適用於電池反保護及汽車馬達控制應用，例如電子動力向系統（EPS）馬達控制、三相與 H 型橋式 (H-bridge) 馬達 (雨刷、電子式駐煞車)、HVAC 風扇控制以及電動泵。
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英飛新型P 通道 40V MOSFET系列產品具業界最低的 RDS(on)，並提供電範圍 50A 至 180A 的各種標準封裝方式，衍生出 30 多款系列產品。180A 是 P 通道技術發展的一項標竿。由於 P 通 40V OptiMOS P2 產品是用作汽車橋式應用產品的高壓側開關，因此不需要額外的電荷泵裝置，可大幅節省成本並提升 EMI 效能。新產品整合脈衝頻調變（PWM）控制功能，相較於 N 通道MOSFET，具備更佳的散熱與雪崩能量表現，因此非常適用於電池反接保護及汽車馬達控制應用，例如電子動力轉向系統（EPS）馬達控制、三相與 H 型橋式 (H-bridge) 馬達 (雨刷、電子式駐煞車)、HVAC 風扇控制以及電動泵。

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基於成本與效上的優勢，業界趨勢明顯地朝向溝槽式 MOSFET 概念發展。以英飛凌第二代溝槽技術為基礎，OptiMOS P2具備低閘極電荷、低電、低切換損失、高電流及絕佳的優值數（FoM；即 RDSon x Qg）規格，為電動馬達提供更高的效能，還能將 EMC 降至最低。舉例來說，其業界最低的 RDS(on)  2.4mΩ（採用 D2PAK 封，10V）較市場上其類型的 MOSFET 低了三分之一。

6 U; ?; m! G2 u$ A% D7 Q  \" X( `英飛凌藉由推出新型 P 通道 40V 產品，擴展其廣獲汽車統採用的馬達控制與橋式配置產品系列。式配置的高壓側與低壓側皆需要 MOSFET。較於 N 通道 MOSFET，新型 P 通道置不需要額外的電荷泵，即可支援驅動直刷馬達或無刷三相直流馬達的高壓側開關同時由於 P 通道可透過簡單的驅動電路以驅動，因此也可節省成本。若採用H 橋式馬達，平均可節省約 5% 至 10% 成本。
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舉例來說，傳統液壓動力轉向系 (hydraulic power steering) 是由引擎提供動力，意謂著馬達必須持續運轉。若採用 EPS只有在需要輔助時才使用馬達，可減少燃消耗。再者，透過使用電動控制水泵和油取代液壓水泵和油泵，也可將汽車的重量輕達 4 公斤，有效提升燃油效率。從環境觀點來看，電動泵也有助於環保，因為在回收汽車時不需廢棄任何油料。此外，電動水泵對油電混合車來說，是不可或缺的要件。

OptiMOS P2 裝置採用堅固的封裝，可承受在濕度敏感等級 1（Moisture Sensitivity Level 1，MSL1）熔焊時 260 °C 的高溫，並使用符合 RoHS 規範的無鉛電鍍。功 MOSFET 完全符合汽車電子協會 (AEC-Q101) 所制訂的規格。
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, q% G% }+ V. N1 v* c5 M( |具備 34 款族產品，提供 50A 至 180A 電流 OptiMOS P2 40V 系列目前已開始生產。所有產品的樣品提供各種標準的功率封裝方式，包括 TO-220、DPAK、D?PAK、TO-262 及 7-lead D?PAK。若以極小量的樣品計算，採用 DPAK 封方式的 5mΩ OptiMOS P2 40V（即 IPD90P04P4-05）售為 1.02 歐元（1.43 美元）。