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大家好:6 f6 \8 O6 J0 X- E) w; i
目前在做一個Bandgap, Line regulation必須相當的高, 製程用到高壓32V, 用的方法是IPTAT的6 d* d& T, d6 v& B) n
方式的BG, 然而下線出來之後, line regulation 5V~32V約70mV, spec為20mv, 實在不知如何解, current
2 S* G( D+ D9 m# w9 r0 tmirror 有用cascode去實現, 依然不是很理想, 不知大大有何高見~* m: z! C# t$ U- e1 Z( X- u
船長9 G) e, p- r6 A1 x
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請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
4 ?" ]. i! |. I/ Q7 }bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成) ! ~4 `8 b1 G3 {0 S" s( T( R
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[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:48 AM 編輯 ] |
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發表於 2007-7-5 09:59:03
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