λ -base esign rules中有些規則不懂 想請教謝謝^^

sw5722

有些問題必須從半導體製程去解釋,比方說,
" E+ q+ D8 Q# U7 {+ s- J; I＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
: W6 t; ]5 `3 kEpd>=2λ  ：閘poly需超過diffusion的最小長度。若不超過話，在diffusion  or  Implant  source/drain時，將使source/drain因為
                 diffusion overlap而短路。
8 m0 r  l7 I, z% ]＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
上述應該指的是ｅｎｄｃａｐ,如果ｌａｙｏｕｔ上的ｐｏｌｙ是突出ｄｉｆｆ的,實際上製程廠做出來的型狀,是會往後縮,並且尾
% o: Z2 z: ]/ f  k端呈圓弧狀,為了避免ｐｏｌｙ縮進ｄｉｆｆ中,而造成ｓ跟ｄ導通,所設定的ｒｕｌｅ．
6 A$ N# ]) ^) c. B) p/ p' m當然有些比較特殊的ｍｏｓ不在此限,比如說可變電容之類．
& Y( }- i+ C) r/ t' `+ G7 R7 ]妳把ｐｏｌｙ也就是ｇａｔｅ當成一個控制ｓ跟ｄ的開關,也就不難理解了,妳後面所說的ｄｉｆｆ短路應該是指這個吧.