λ -base esign rules中有些規則不懂 想請教謝謝^^

vlsi5575

關於你的問題:
$ y, O/ x/ ?4 Z5 h" v, hEpd>=2λ：閘poly需超過diffusion的最小長度。若不超過話，在diffusion  or  Implant  source/drain時，將使source/drain因為diffusion overlap而短路。
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5 [" b( o; ~: O4 r7 i其實是多慮了,這只是特殊情況,沒有人會犯這種錯
我們在畫MOS的時候不是會把poly覆蓋在diffusion上嗎?
- p$ A% o7 k; k' F( M7 a+ `( Q# q. y其中的兩邊就是source跟drain,
而poly跟diffusion覆蓋的區域就是gate
8 f% B4 X. X$ u& I  Y這是無庸置疑的嘛~
1 s& S/ I( F9 j4 V8 gMOS一般的digital操作我們知道就是在gate上施加電壓以使其導通或截止
書上寫的意思是說poly我們都會使它超過diffusion,
而超過多少則有design rule規範
+ A5 {8 m& t! \0 p如果今天poly的某一端沒有超過deffusion,
也就是說poly並沒有整個把兩塊diffusion區隔開來
, _% _1 e8 Q# {$ N# g這樣的話就沒有形成source跟drain
也就不算是一顆MOS,
' b9 V& l( ~2 Q& d* ]" S所以書上才會說兩端短路,是因為根本沒有區隔出source跟drain
4 r! D4 c# a( F
而λ只是一個單位符號,看看就好,
他只是為了要讓看書的人大概知道幾λ幾λ,
這個rule跟那個rule大概的比值是多少,
所以不用太在意,畢竟每個process的rule都不一樣
所以書上為了不想表示成一個定值
8 L0 m" v9 m2 A- |2 ?9 y, u就用λ來表示,意思相信也是希望讀者不要認為它是個絕對的值

從您的發問可以看出來您是位剛入門的同事
( J% L- E8 }" e: K* {- q/ u2 c. ~因此建議您書上的看看就好,design rule比較重要!
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小弟的淺見!
! P$ l. C. U0 d9 k6 Z: T5 D& d. C如果有不對的地方還請指教~
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[ 本帖最後由 vlsi5575 於 2007-7-13 02:06 PM 編輯 ]