我想請問高壓Cell的一些問題

a223152209

我最近在看我們公司的Techology File 時(因為我沒畫過高壓元件) 發覺高壓的rule和正常的元件有所差別  高壓的比正常的還大  我的問題是
9 l! c$ ^; T# Y& b5 g$ q. U$ K請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  
另一個問題是  為什麼Techology File 裡面有寫到{  on  off  on  off  } {LB}}  LB我定義為NPLUS   我知道這表示{  左  上  右  下  }  我試過  如果把左改成off  那在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再畫layout十有什麼差別呢
4 `- M* [, w7 b& G: j+ Q請各位前輩或者知道的人幫我解答  非常感激

jianping

THE  LAYOUT DEVICE OF HV , 有Asymmetric及symmetric兩種,如果symmetric的DEVICE就沒有 S及D端差別.

wiwi111

在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再畫layout十有什麼差別呢??

" p+ o3 o" r/ J5 T  E' W* k差別是如果你是off 狀態,則你要用到這pattern時會無法顯示,當然你要tape out 的gds file
9 B; D8 m# y% k0 o& b3 J便不會正確,到時designer debug後是layout 的錯,那你可能就得準備換公司了,這是layout
人員最不可犯的錯誤...................

skeepy

補充:要劃HV DEVICE建議把DESIGN RULE熟讀,特別是CROSS SECTION
要能看懂,這樣在劃CELL時比較不會弄錯,有CELL LIBRARY的話更好.

skyboy

原帖由 skeepy 於 2007-7-10 05:05 PM 發表
補充:要劃HV DEVICE建議把DESIGN RULE熟讀,特別是CROSS SECTION
要能看懂,這樣在劃CELL時比較不會弄錯,有CELL LIBRARY的話更好.

1 I/ H7 U( r& _" Y7 ~
小弟也補充一點慘痛經驗...
/ M1 I% X# B1 T3 H/ i9 s. }如果公司是第一次做, 有任何不確定的地方一定要問 designer, 如果 designer 也不很確定,
9 O  R4 X, w5 A' b6 }那一定要問 foundry....甚至是 layout 好了請 foundry 的人看一下....
3 {7 y+ H; |& r' y: ?3 o* h
. F6 _1 m% y1 Z; u/ c等到 T/O 了才要東補西補都是很痛苦的事情....

spyang1119

同意~design rule K熟,就算tf & command file & foundry device有誤,layout都絕對不會錯

jauylmz

>>請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  
Ans : 通常Asymmetric 的MOS 大邊是 Drain 小邊是 Source ，那你的輪入端應該是指Drain吧
4 S* ?+ N0 ^! b2 e& l/ W, ]
>>另一個問題是  為什麼Techology File 裡面有寫到{  on  off  on  off  } {LB}}  LB我定義為NPLUS   我知道
3 ~; W3 g6 s: s( K9 L    這表示{  左  上  右  下  }
Ans: 看你這樣寫很像是Laker TF 的 Format ,如果是，那它並不是你所說的 {左上右下} 的關係喔。
        這點要注意。Laker Manual 上寫到那是 Repeat Pattern !!  請看附圖
        { on  off   on  off  } 是對應到下面的 區域  後面就重複了，所以叫做 Repeat Pattern
% ~! |- I7 G. }( [' O. r        { OD Poly OD Poly }   
6 D, p% c1 u) F/ d4 m2 x        {  1    2     3    4   }       在有 on 的 區域就會產生出你的 LB =>  Npuls layer

>>我試過  如果把左改成off  那在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再
    畫layout十有什麼差別呢
Ans: 你如果選擇 off 的話，那在Create 這個Device時，他就不會產生Layer 在相對應的區域了。

m851055

原帖由 jauylmz 於 2007-7-17 09:16 AM 發表
( a% _& H4 {6 K# K, D4 `* E9 b1 C>>請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  
4 H) o' e2 f% W, W- N" F( Z" x, I3 dAns : 通常Asymmetric 的MOS 大邊是 Drain 小邊是 Source ，那你的輪入端應該是指Drain吧
2 w3 @# k- g1 Y; Z: U% r% H
7 [' k7 }( e  _  h% v>>另一個問題是  為什麼Techol ...

" L- y# F* w5 e2 v" B4 r+ x



此圖設計是耐壓到16左右的設計，一般都用symmetric設計，很少使用asymmetric設計，除非空間不足。
在25V左右之耐壓一般又是另一種設計方法，有deep Nwell layer，相關layer約為16-18層。