现代的高压ESD

amanda_2008

最近要用到现代的高压ESD，有谁可以提供一些参考吗？
因为现代那边没有提供高压的ESD rule，自己画的时候不太敢随便画，，
+ W  O* t! ?- Z) Y& o希望有经验的前辈能给点建议，大致的rule可以建议一下吗？

amanda_2008

我想先問一下阿，平常的工作電壓是20v，那對於ESD的畫法應該也會有差吧？
我的高壓是指芯片平時工作時的電壓是20v，而ESD的承載電壓，
5 }6 K3 r/ V) k2 g  @是HBM2KV，MM200v，
6 l% O! a" [% \如果能給我一個答復，我感激涕零，
/ p/ c- l- M1 L, v! G: x但是不好意思，沒有米米的回報，因爲我的已經是負的了

amanda_2008

呵呵，謝謝版主同志，
/ s3 }! l8 P, a不過不同的工藝，我是怕ESD的rule待會不滿足，
比如説D端contact到gate poly的距離大致怎麽來決定，
D端或者S端到guard ring 的距離我又大致可以設為多少呢？
7 L0 G7 ]: ^2 m9 W4 m" O雙層guard ring之間的pitch又是多少，然後guard ring的diff的寬度要多少呢？
% K. s6 U; X$ c版主同志，麻煩你再告訴我一下哦

amanda_2008

谢谢大家的热心答复
嗬嗬，我在题目里有标说是现代的哦，
: j: z$ o; Y9 Y# K5 O其实有时候代工厂可能没有你现在要用工艺的esd rule,
所以这个时候就只能凭经验来画了