现代的高压ESD

amanda_2008

最近要用到现代的高压ESD，有谁可以提供一些参考吗？
7 b  o. U  `. W$ \2 O, `2 l0 z因为现代那边没有提供高压的ESD rule，自己画的时候不太敢随便画，，
希望有经验的前辈能给点建议，大致的rule可以建议一下吗？

cuban487

可以請問一下你所指的高壓ESD 是幾KV阿
6 D. e5 g* C8 }+ @3 X# Z可以盡量寫清楚嗎...感謝

amanda_2008

我想先問一下阿，平常的工作電壓是20v，那對於ESD的畫法應該也會有差吧？
' _" \! _$ h9 ?1 [7 l% F我的高壓是指芯片平時工作時的電壓是20v，而ESD的承載電壓，
* M, q0 d) s* E7 r/ T9 e/ i是HBM2KV，MM200v，
如果能給我一個答復，我感激涕零，
但是不好意思，沒有米米的回報，因爲我的已經是負的了

sjhor

其實用普通的 CMOS ESD protection 就可以唷!!
$ H3 h0 [4 e. G9 k0 vPMOS/NMOS 的 diode 就可以了! 10V/per 1um width 應該就可以約列算出你所需要的 size!!
3 \- ?; H6 }7 M, n& R9 U再加上 VDD/GND 的 ESD Clamp circuit 應該就可以了!!
不過  大部分的人 PMOS/NMOS 的 size >=300Um,  以3KV來設計比較好唷!!

amanda_2008

呵呵，謝謝版主同志，
不過不同的工藝，我是怕ESD的rule待會不滿足，
比如説D端contact到gate poly的距離大致怎麽來決定，
4 y- z1 l; d3 V3 x# L% lD端或者S端到guard ring 的距離我又大致可以設為多少呢？
6 G" g# h! K0 t& w5 Z雙層guard ring之間的pitch又是多少，然後guard ring的diff的寬度要多少呢？
) n5 }  q. I& E) _7 {( O8 L; F4 A" p版主同志，麻煩你再告訴我一下哦

teaman

請您先告知大家，您要下的fab是哪家，什麼製程(process)，這樣才好回答您。
6 m  E/ L+ n4 x# ~* ~+ |) n每家的參數數值都不太一樣。
! V$ y, L* J  `9 F- K
# f2 y- w  v5 E; a如果您手邊有該家fab的design rule manual, 裡頭應該會有ESD design rule。

m851055

一般代工廠都有ESD rules，只要照話就好了，或是請帶工廠提供也可以。

1 Q6 e0 @* o# ksource contact 照rules話就可以了，drain contact 一般約為source contact 3-5倍不等。

pick up 與guard ring之diffusion約為4um，pitch 一般10-20 um 不等，以上為一般之經驗，詳細需參考foundary之 design
8 L! Z$ q0 L, e0 i  }guide。

amanda_2008

谢谢大家的热心答复
2 _" \) y4 b2 s# H3 ?6 \6 n嗬嗬，我在题目里有标说是现代的哦，
其实有时候代工厂可能没有你现在要用工艺的esd rule,
1 D' s: R/ D- G9 ]  A/ E所以这个时候就只能凭经验来画了

dolphin75

多謝！
謝謝版主了，又了解了新知識了呢！
5 \( d+ B* u: @9 A2 R扫扫盲，呵呵。

semico_ljj

原帖由 sjhor 於 2007-6-1 08:56 AM 發表
, e& o6 H$ V/ J# W( `其實用普通的 CMOS ESD protection 就可以唷!!
% f2 |( q: n1 c; Z9 x3 _1 KPMOS/NMOS 的 diode 就可以了! 10V/per 1um width 應該就可以約列算出你所需要的 size!!
# s5 G; j) l7 y5 H再加上 VDD/GND 的 ESD Clamp circuit 應該就可以了!!
不過  大部分的人 PM ...

2 p3 |, j- f' w; \% L4 F
"10V/per 1um width "有疑义,因为比如W=300um,L=0.5um与L＝0.35um应该有很大差别吧！

ritafung

如果是高壓的FDMOS,難度更高!因為這種device天生不利ESD.

lethalkiss1

原帖由 sjhor 於 2007-6-1 08:56 AM 發表
10V/per 1um width

1 b4 n3 |  ^' i3 g) }2 w* r: U这个值是怎么来的呢？

ONLYFLYSKY

L為最小的通道長度，一般而言，通道長度愈小，靜電放電防護電晶體的耐受度愈小。增大通道長度可使靜電放電耐受度提高。但是必須同時增大防護電晶體的寬度。如此一來便會使佈局面積增大而使成本增加。

tuza2000

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