晶片中內置的信號終止裝置(ODT)簡化了PCB的設計––傳統上,通常會在外部添加終止電阻(termination resistor)以改善傳輸線中的阻抗匹配並避免信號反射,從而避免資料傳輸錯誤帶來劣化系統EMI性能的峰值電流。ODT將終止電阻整合在半導體晶片內,而不是在印刷線路板上。SAM3S的輸出端整合了多個典型值為35歐姆的電阻,能夠降低材料清單(BOM)成本、節省空間,並為PCB設計帶來更大的便利性。
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在工作頻率降低時優化功率 –– 愛特梅爾採取以下步驟, 將SAM3U器件在頻率為10MHz工作模式下的動態功降到最低,預計可將在1MHz下的功耗降低50%。0 C" J3 C; m7 B$ X2 ^4 Q) ]
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3 d* d3 N- l$ ^- o" y, l* x電源電壓範圍從1.62V擴展到3.0V 2)
) h4 k$ `9 S" V讀取週期結束之後,自動將快閃記憶體的感測放大器置於睡眠狀態 3)8 G" }8 C+ c* R: l& G! Q
快閃記憶體能夠以x64模式 (而不是x128模式)讀取,且不影響性能 4)+ y- R: t% l1 a+ F
自適應穩壓器能夠將電流消耗量當作電流吸收的函數來進行調節,而不需要任何軟體處理。 |