安森美半導體針對高能效開關式電源應用推出諧振模式控制器

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安森美半導體溝槽型低正向壓降肖特基整流器新系列 提供更高的開關能效
新器件提供極低導電損耗、極佳溫度穩定性及高浪湧電流處理能力，用於計算及消費應用

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5 V! E- N. ^* c  H( }( G) o2011年12月14日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用於筆記型電腦適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉換器等應用。

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新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件採用溝槽拓撲結構，提供優異的低正向壓降及更低漏電流，因而導電損耗低及大幅提升的電路能效，説明設計工程師符合高能效標準規範要求，不會增加複雜度，例如無須同步整流。
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  S, V9 @, `5 y3 c: G此LVFR系列利用溝槽金屬氧化物半導體(MOS)結構，在正向偏置條件下提供更大的導電區，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下，此結構產生「夾斷」(pinch-off)效應，從而降低漏電流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半導體的溝槽型LVFR的開關性能在-40 °C至+150 °C的整個工作結點溫度範圍內都很優異。
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為了證明LVFR的優勢，安森美半導體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標準的30 A、100 V平面型肖特基整流器進行比較。基於65 W電源適配器測試的資料顯示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設計人員能夠符合規範要求，同時不增加方案的複雜度及成本，例如無須同步整流。
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+ N: A5 [/ _- r# `8 @  L安森美半導體功率分立分部高級總監兼總經理John Trice說：「我們的客戶力求其產品設計更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本無法高性價比地提供溝槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在擴展溫度範圍內提供優異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶提升電源能效的嚴格規格。」

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安森美半導體擴充用於馬達控制、太陽能及不間斷電源應用的 高性能溝槽型場截止IGBT陣容
  W2 m- G) A& v+ g. ]* P' Z新的場截止溝槽型技術元件擴大額定電流，提供高速開關能力，用於嚴格的電源應用
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Oct. 24, 2012 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件，推出9款新的高能效方案。  

這些新元件提升系統總體開關能效，降低功率耗散，且提升系統可靠性。這些最新IGBT元件增添至安森美半導體現有超過30款的IGBT產品系列中，將產品的額定電流能力提升至最高40 A。這些產品中包含專門針對太陽能及不斷電供應系統(UPS)應用高性能電源轉換的元件。

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安森美半導體功率分立產品資深總監兼總經理John Trice說：「全球能耗的大幅增加及預計對經濟及環境的不利影響，持續推動針對更高性能功率分立元件的需求。這些新一代元件在提供高性價比及業界領先能效的同時無損其強固性。安森美半導體專有的溝槽型場截止技術能為工程師在應用其電源系統設計時提供更豐富的選擇。」
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7 Y4 h- T! e$ x第一組新IGBT是NGTB40N120FLWG、NGTB25N120FLWG及NGTB15N120FLWG。這些產品採用強固及高性價比的溝槽型技術結構，為高頻開關應用提供優異的性能。低開關損耗及超快恢復二極體使它們非常適合於高頻太陽能、UPS及逆變焊機應用。這些元件分別擁有40 A、25 A及15 A的額定集電極電流(IC)。三款元件均經過高度最佳化，用於頻率在10千赫茲(kHz)至40 kHz的開關應用，提供低導通電壓(VCEsat)及低門電荷(Qg)特性，並具備超快恢復能力，提供極低開關損耗，以保持低功率耗散。這些新IGBT元件都提供−55 °C至+150 °C的工作結溫。
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第二組新元件也拓寬了安森美半導體的溝槽型場截止IGBT元件陣容，將產品額定電流能力提升至最高40 A。NGTB30N120LWG 及NGTB40N120LWG提供低Vcesat及強固的短路特性，帶有快速恢復二極體，用於低頻(2 – 20 kHz)硬開關應用，如馬達控制變頻應用。與這兩款元件相輔相成的是NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB20N120IHSWG及NGTB30N120IHSWG，這些元件具有均衡的開關及導電損耗，用於中等工作頻率(15 – 30 kHz)的電磁感應加熱及其它軟開關應用，如電鍋、電飯煲及微波爐等電器。  

封裝及價格

/ V5 S4 Q& w9 h3 k0 ZNGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG及NGTB20N120IHSWG均採用緊湊的無鉛TO-247封裝，每批量10,000片的單價分別為2.00、2.50、4.00、2.50、2.75、3.00、3.25、2.25及1.60美元。

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安森美半導體推出高能效馬達驅動器IC，用於辦公自動化設備
) V  K# G) w' {4 U4 ~9 y# k- c0 yLV8702V經過了最佳化，以降低馬達雜訊、減少振動及發熱量，並節省高達80%*1的空載能耗
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7 ]0 B" o" p$ a: ~2012年12月20日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的步進馬達驅動器IC——LV8702V，提供比市場上現有產品顯著更高的能效。此元件針對影印機、掃描器及多功能印表機等辦公自動化設備應用而專門設計。  

安森美半導體三洋分部電源產品總經理Tsutomu Shimazaki說：「 近年來，多種電子產品應用中使用的步進馬達的能效很低，已經成為全球業界關注的問題，也是電源系統設計工程師須面對的挑戰。LV8702V克服此挑戰，提供獨特的驅動系統，使其能夠節省空載能耗達80%*1，並降低馬達峰值電流近77%*1。這方案大力幫助我們客戶開發辦公自動化電子產品，符合提升能效的全球需求。」
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5 G3 M# U9 z+ A8 U) W! l9 Y特性及優勢
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LV8702V除了降低總能耗，還幫助減少或降低印表機位置控制等應用中的馬達的發熱、振動及雜訊。由於能效提升，此驅動器IC和馬達的表面溫度分別下降達46ºC和28ºC*2，可以幫助省去冷卻風扇，節省相應的空間及成本，並提升系統可靠性。LV8702V步進馬達驅動器IC通過監控驅動器波形來檢測馬達狀況；此元件根據馬達轉速或負載來自動減小電流值，因而降低能耗。此新元件的工作電壓範圍為9伏(V)至32 V。保護特性包括輸出短路保護、過熱關閉功能及失步(step-out)檢測功能。

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LV8702V是安森美半導體AMIS30542/43/22/12系列帶無感測器馬達回饋的高度智慧型步進馬達控制方案的另一成員。這系列產品為設計人員提供適合寬廣應用範圍和驅動電流的高性價比及領先的性能。如今，停轉檢測、步損及電流驅動最佳化等先進功能易於整合到此前或因成本而不用“高階”馬達控制功能的應用中。
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價格及供貨

2 m$ V$ B4 p( cLV8702V採用尺寸為5.6 mm x 15.0 mm的SSOP44J封裝。此元件每批量2,000片的預算單價為6.00美元。

, l" n1 g0 J3 q! S/ Q# u0 \ *1 <測試條件>    驅動電壓：24 V；電流設定值：Iout=1 A
8 H0 y0 v  P1 J4 E6 V  Y. z9 t1 j                        勵磁模式：半步；速度：1,500 pps
                        馬達：半橋(HB)馬達雙極型；負載：空載
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*2 <測試條件>    驅動電壓：24 V；電流設定值：Iout=1 A
# L8 R5 X5 S' B, Z1 G8 ]9 V4 q                        勵磁模式：半步；速度：2,000 pps
                        馬達：半橋(HB)馬達雙極型；負載：空載；上電時間：20分鐘