cmos晶体振荡器

duoyun

knightrider , tony_wu_ad
你们的问题BUJISMALL 都已经给出回答了啊。我也在做一个振荡器，希望可以做成跟大家分享些经验。
我看到网上有篇文章，讲用参数拟合的方法，通过测试晶振频率得到晶体模型的参数。不知道有没有人这样做过？测试得到的精度可以达到准确拟合的要求吗？对测试有什么要求？

kokokiki

crystal是h-q沒錯,但許多osc原件也是利用三次諧波做出來的.
0 F- Y$ ~+ u5 Q. g原理也不難,將amp輸出端取出訊號(非理想sine wave),經filter就是三次諧波output.
6 e; p/ \, w# q! f8 H許多高頻osc都是這樣出來,簡單且没有增加多的phase-noise.

tony_wu_ad

嘿嘿，我最近也在研究这个晶体振荡器，也想用spice跑跑看，但是手头没有这些晶体的模型，那里可以找到这些模型？多谢了！

knightrider

我的怎么仿真也是不振，是不是仿真这类电路有什么技巧，起振条件里面的噪声怎么加上去啊，理想情况下能不能起振啊 ？

linux_java

好啦!  75KHz 的確/應該沒有 gain bandwith 的問題啦!2 N# E' Z4 f+ c" g
0 ~- j. ?+ h# ]0 r
我門也都知道負電阻的效應!  但是這個觀念比較難說明啦!
* E9 |$ w, \2 a" ]1 X9 Q& f- r" ?- R; Q' {% m" H/ z# t
你的知識比較淵博!!  可以提供一下!
, z/ _5 U. s  h, C& B3 K9 w; D$ i1 `$ T/ m1 E' {這個負電阻  如何計算? 這個負電阻如何 simulation?
3 i( g8 V9 p* [; V- ^* G3 m! b" Z, ]可否提供一下相關資料!  你的功德無限啦!: Q2 C"

linux_java

好啦!  75KHz 的確/應該沒有 gain bandwith 的問題啦!2 N# E' Z4 f+ c" g
  r3 E) u6 R+ T! ~0 ~- j. ?+ h# ]0 r
我門也都知道負電阻的效應!  但是這個觀念比較難說明啦!
4 |+ @  M& R: w8 o/ J8 e* E9 |$ w, \2 a" ]1 X9 Q& f- r" ?- R; Q' {% m" H/ z# t
你的知識比較淵博!!  可以提供一下!
& j2 t% ^2 ^/ B9 w; D$ i1 `$ T/ m1 E' {這個負電阻  如何計算? 這個負電阻如何 simulation?
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linux_java

好啦!  75KHz 的確/應該沒有 gain bandwith 的問題啦!2 N# E' Z4 f+ c" g
0 ~- j. ?+ h# ]0 r
我門也都知道負電阻的效應!  但是這個觀念比較難說明啦!
; A. O9 G7 d. b8 V* E9 |$ w, \2 a" ]1 X9 Q& f- r" ?- R; Q' {% m" H/ z# t
你的知識比較淵博!!  可以提供一下!
9 w; D$ i1 `$ T/ m1 E' {這個負電阻  如何計算? 這個負電阻如何 simulation?
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BUJISMALL

1，对于经典的PERICE 振荡器，一般都是从晶振两端看进去的等效负阻抗与晶振本生内部的正阻抗相抵消的原理，其实你可以用小信号来分析这个电路，然后算出这个电路的开环传输函数，得到一个关于GM的根轨迹图，用MATLAB画出根轨迹图，当根在右半平面时，就是振荡的范围，可以得到GM(MIN),和GM(MAX),一般设置GM=[GM (MIN)*GM (MAX)]^0.5,此时可以得到最快的启动速度；一般晶振的完整启动需要1000个周期左右；接下来就是选择管子尺寸的问题了；可以看到各个参数，比如Rf,cl,co等的影响；从仿真结果看对于32K,RF>50M,比较好；频率越高，RF的要求越低；
) t. |2 a' F7 ]1 F% Z2‘ 对于低功耗的振荡电路；比如32K;对外部的寄生电容比较敏感；需要仔细仿真；还应考虑AD的影响；
6 L" `( x7 [- L# t9 J3 E, w3.仿真时，仿真参数的设置也是有要求的，比如CADENCE ,步长一般选择为周期的1%，收敛方式的选择，对仿真都是有影响的；参数设置不当，可导致无法振荡；

8 E$ R, e. n) ^1 D0 [! S, v7 u对于上面的问题，我不知道你的晶振模型有没有弄对，一般你需要去查找厂家的资料，得到RS,和静态电容C0后，自己就可以导出模型了，取Cf=C0/300左右，根据频率求出L0;就可以了；当然L0最好加点初始能量，可以跑的更快；；；；；

gimayon

osc 問 driver 能力
就像問 bandgap 的 vref 能負載多大 load ..一樣

% k5 [1 d, i9 k; {: _很沒 sense 的問題...

nyu0313

要注意一些事項!
! x6 v) R" I9 I& S( x- b1 E$ ~3 ]' C9 C6 o4 N% M* U& C1. Inverter 的頻寬是否足夠?( G7 J' t. q& X& _
- I- ?. }" U9 l1 U8 i5 ~+ f. o$ A2. Inverter 的 gain 是否足夠?
+ _  ~+ P8 ]9 U, {3 K  ]+ q  a* V& v' {3. 推動能力是否足夠?
6 ]: m  j% l0 L+ z5 t! V( u! s6 W. D$ @& |4. Inverter 最好 bias 在 1/2*Vdd 的地方!! `' ]9 f/ k0 n  J
3 {% \( U  I) q# {4 d5. 可先跑 AC 的 Spice simulation!

nowich

非常感谢   言简意赅
4 F* a% b, K" B1 ^& ?
9 H3 N0 o* i/ ^! v: }2 ?5 aLC负阻振荡器和crystal都可以用这个方法判断

nowich

晶體和晶振是不一樣的吧
有的直接就用晶振了~~
- }( }8 {6 j' [; T& U5 f  P這個討論的是晶體應該~

vth71

thanksss

irwinluo

感謝樓主無私的分享
. v$ s5 s. i0 K5 J1 i9 y/ V- Z6 O以及感謝大大們的分享
這真的是非常有用的資料

4 g5 y9 J$ ]) B0 KThanks

cadio

图片看的不是很清楚呀？？可不可以帖张清楚点的图呀？最好换成cadance的图/

mnlhd

我也是这几天才看osc
我还想问些关于OSC的其他问题
1，在设计osc的时候，电压和温度的影响怎么考虑--我仿真的是ring osc 感觉温度和电压影响比较
, a2 d  Y- X# `1 e# Z: Y% s2，PAD和封装时引入的寄生电容怎么考虑---加大的BUFFER可以么
3，在仿真中，osc应该算是一个模拟的部件，如果用在数字电路中，该怎么混合仿真--我现在用candence仿真，数字部分用applo，说是倒进applo中混合仿真需要GDSII和LEF文件，LEF文件用Cadence Abstract Generator 可以到出来，不过用的可能不专业，总是出错，大体是工艺的错误，改了一部分，还是有问题...有没有其他的方式
4，忘了说了，工艺库都是charted035的一个数字库，一个模拟库...

; G4 ~" B' J6 M7 ]1 h& O  B请大家都给点建议，谢谢
4 i4 s# ?* O# H# C5 G! b
[ 本帖最後由 mnlhd 於 2008-4-17 12:51 AM 編輯 ]

mdtjason

感謝大大們的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~```

RX93

最近正好在研讀crystal oscillator 如何起振的分析
這真的是非常有用的資料
真的是非常感謝大大的分享.....

pan8257

感謝樓主無私的分享
. F! P1 q& x% ~肛溫!!
Thanks

ilovehorn

討論串很精采
現在正在研究Crystal震盪電路
謝謝大家的心得分享