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[問題求助] Trimming method?

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1#
發表於 2007-4-2 16:27:19 | 顯示全部樓層 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
類比IC設計   有ㄧ個很不好的宿命!  就是很多的時候都需要 trimming!6 B; _! x: c0 v) h% [
不管是 bandgap voltage reference?  LDO? ADC? DAC? ........ 等等許多東西都逃不出  trimming!
! }* {1 d7 E& z# m所以  trimming 是類比IC的 不可磨滅的痛
- U3 {7 {: U% c! k! T
+ i: ]2 [( ~/ R5 u4 W6 C" ITrimming 的方法:  不外乎是  laser & current trim! 是否還有其他的方式?( q  N* q1 y2 \* G/ U, }
Fuse 的材料不外乎是: metal, poly, zener diode? 是否還有其他的方式?
6 F- K% q7 C! C& X0 ~9 |( {, i: Z+ }# _' b0 q! B
Repare  rate 又是如何?
. m; z- k6 u) E) t4 B! n: o7 o
6 r8 m+ J. z% _$ U這些種種的問題,都困擾著 analog IC 的進步!
) k0 S- ]; f3 ~7 V2 ?- ?9 }+ m1 w: F
所以  希望大家  不要令惜分享既有的經驗!8 S0 t& q0 D( R: D+ Y4 {+ [. }% |
% a' Q  g+ n7 C3 A, O* u
你的經驗就是知識的來源!
; Z  @2 J7 b) A& {; U$ |
  T- d1 Y- g' ^2 a2 \以下是 Fuse & Trim  的相關討論:
  x6 B4 D8 Z8 w& c) f2 S9 o' Xpoly fuse 的問題 2 `7 t1 [' J' }' ]) t
e-fuse?  2 P" G  f, o. @' ^# D2 f  u
poly fuse 大約多少能量便可以燒斷? . C; Q% g' J: f8 ]
如何判断poly fuse 已经blown  
) E; W) U4 Y5 D$ u( z; N有關poly FUSE的不錯paper給大家參考  + m2 J; H/ E( u' ]6 ~/ ^: t6 {
Laser Trim
5 [4 v, S  u5 _8 O+ ~9 o# r- Z% @做完laser trim後內部的電路被打傷的情況嗎?  
. Y* s! e1 f6 |4 H, D) |1 }7 oCurrent Sensing Resistor Trimming!!   1 j5 D! k. H/ q7 u# k
请教做laser trim的注意事项  
$ l) |; v0 a0 l9 n5 Z0 P6 h; }Current trimming 要如何做呢?  ! j* w+ c" Q* ]& O6 f

% @1 S, C$ k2 B  U# A
2 D0 f0 c6 X: M
! _% P+ O, A- c( [% ]
; H, \! E  ~& \" j; @/ I1 |* V! }
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:37 PM 編輯 ]
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2#
 樓主| 發表於 2007-4-9 09:19:07 | 顯示全部樓層
原帖由 DennyT 於 2007-4-8 11:30 PM 發表
6 }: r" `0 }, R6 ~* _& A* ALaser Trim 後段需額外製程, 所費不眥, 大部分是出PAD少的IC才用.0 d& Q( y) X' x/ p% F
Current Trim可以合併在wafer test時實施, 花費不大.
; b. @8 [$ E3 Q; fRepare rate需視你設定的trim range是否能cover foundry最大製程漂移9 O1 O2 E% y: D" d5 \5 e
而trim step又得 ...
! z7 ]. o$ c" \  r: b3 j/ C0 D, K

+ E$ M# v( ]" X3 I3 i+ t感謝回覆!+ X0 Y. I5 c7 N5 G; g6 E
/ N7 e, l" R) V4 t+ i2 G& b, p- F
Current fuse 因為需要長PAD 所以面機會比較大!* ]2 h6 S  [) p- s3 k9 l5 e. S& S
Laser fuse 不需要長PAD  所以面積可以做的比較小4 q8 ?' u# ~# O( H3 C" B

' h0 H( w* V" [$ LCurrent fuse 比較方便  但因為有積碳的問題  所以要清針* z5 C7 F2 D! b7 h! P' L5 _
Laser Cut 不需要清針  但需要較貴的費用  而且需要CP1 & CP2 測試比較麻煩! 因為CP&LASER機台通常不在同一部
+ e/ y+ t, K  n: U% V) o
( B! V& {" V- L9 a清真要多久清一次比較好?5 @  @5 e  l% d' u2 x
Trimming 完畢經過封膠後  依然會有漂移的現象如何解決?& }% F0 \5 b* |
也就是  河於規格後封膠  結果會有ㄧ定的比例  還是會超出規格之外  真是很傷腦筋!" }( G! q  e+ k6 ]; |- l; }7 s
除了以上兩種方式之外  是否還有其他種方式?
3#
 樓主| 發表於 2007-4-11 10:37:13 | 顯示全部樓層
感謝  DennyT 大大詳細的回覆!
, S  ?! I' W  ]你的建議  我改天會去試一下!. Q/ X2 Z  h! a: K' r) Q+ T
積碳這個問題  應該很多人都會有這個問題9 [5 }% n/ x4 F1 }/ S8 p
因為測試機台都有清針的設備!
1 ?3 e1 L: H) K不過會造成這個原因  應該跟  fuse 的 layout 有相當大的關西
  a# g3 U4 k9 I6 K所以  若大家有這方面的 rule 或是經驗  請提供出來

" d' D( P6 d! o( E& r) \非常的感謝
0 P7 L' Y' g6 m& ?9 Z超出規格外的IC開蓋後是否回復spec內?1 W2 {4 T' M, _: M' P* q! u
是!  會回來,Offset 部分我們可以改善! 但是常態分配變胖的部份就非常討厭!* z% O& L% b) Z  d' a8 z, W# R
因為查不原因!
4#
 樓主| 發表於 2007-4-17 08:19:00 | 顯示全部樓層

回復 #7 DennyT 的帖子

fuse & fuse PAD 應該都是無驅動的能力!  他只是電阻分壓的 ㄧ段!2 \' c- K- Q/ l  S4 j6 W
在省電的拷量下   這些的電阻值都相當大$ f- m5 O4 K, |) R  U! w
連 probe 的 RL & CL 都會影響!
" R: {& \0 V6 K8 c9 Z% R
2 U; f  J/ R4 K1 w! b所以  相當討厭! trim 不准  還有機會修改
& ^! G3 l. u. k7 _& M3 n不過  常態分配變胖  似乎就沒則!+ F5 ]' L( W% J, t- q6 C
當然  我門也 trim 到更精準的  膽只要封裝之後  就會變胖8 |2 L6 c7 G2 H) J* Y, Q$ O% r6 Y# x
die 太小  不適合 coating! 否則會好一點!
$ |, X4 i6 L5 H* N/ T8 S$ u
  q. o) G  W, h% i$ ?+ \2 G  i* Btrim PAD是可以lay在scribe line上的, 友申請專利的價值唷
. f$ C( I' v, b- x不過  要先給我用  因為已經曝光了!
- R, C) n  m5 \
$ K: u) `7 `3 o' Z! {[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-4-18 09:11 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2008-2-20 19:20:03 | 顯示全部樓層

回復 11# 的帖子

這是以前厚模電阻常用的 laser trimming 的方法!' I. i* C4 {$ H* C) R; B& x
他可以將電阻的精確度提高到很高!!
/ P+ x5 V1 n9 x% E2 D9 p$ Q+ f5 {$ |以前的 Analog Device 等國外的做 ADC 廠商常用這種方式!!- i' U+ {, r% X1 w
但是國內的晶圓廠比較沒有這種的厚膜電阻!!, B6 |& r: I) ?4 l9 f: f1 i$ Q% x6 R
且這種方法的成本比較高!!  所以現階段的 designer 比較常用燒斷的方式!!* |- U3 X  A% q9 Q& o1 T4 Q7 M) o
比較簡單易懂  也比較耗設計!!
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