三星電子開發出混合存儲晶片屬世界首次

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朝鮮日報記者 金起弘 (2006.12.14 12:25)  
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三星電子成功開發出的混合存儲晶片“One DRAM”三星電子成功開發出了混合存儲晶片——“One DRAM”。三星電子總經理黃昌圭11日（當地時間）在美國三藩市開幕的全球性半導體學會——IEDM（國際電子元件會議）上公佈，三星電子成功開發出將DRAM和SRAM合為一體的512兆One DRAM。

& _2 E5 s" |, Y1 G2 L0 j) s1 K2 [! }三星電子介紹，One DRAM因為減少了晶片數量，所以能降低成本，並且可減少50%的電路板面積和30%的耗電量。也會加速攜帶型IT設備的小型化。

. h4 {: z0 a  J三星電子計畫從明年第2季度開始正式投產，從第3季度開始正式投放市場。One DRAM的市場規模將從2008年的2億美元開始，到2011年的5年時間�，將增長至25億美元。
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黃昌圭12日獲得了“2006 IEEE安迪葛洛夫獎”，這是半導體領域中具有權威性的獎項。IEDM成員等3000余人出席了大會。黃昌圭以成功開發下一代存儲晶片和7年連續證明記憶體新增長論（儲存晶片的集成度每年翻一番）等功勞得到認可。

0 k7 E/ d, w  `安迪葛洛夫是英代爾的創立者，在歷屆安迪葛洛夫獎7名獲獎者中，黃昌圭是首次獲此獎項的東方企業人士。