WLAN 專利，你公司還最想累積哪些籌碼？

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新出爐的RFaxis白皮書展示了該公司在Wi-Fi和3G/LTE共存行動平台的射頻性能和電池效率方面所取得的重大改進

: a) @: r1 X+ Q; I' B+ j/ R加州歐文--(美國商業資訊)--專注於為無線連接和行動通訊市場提供創新型新一代射頻解決方案的無晶圓半導體公司RFaxis今天宣佈發佈射頻前端技術白皮書《用於行動手持設備應用的CMOS Wi-Fi射頻前端 - 第一部》(CMOS Wi-Fi RF Front-Ends for Mobile Handset Applications – Part-I)。該系列白皮書共三部，本次發佈的第一部討論了Wi-Fi/行動手持設備雙模設計所面臨的射頻相關技術挑戰。該白皮書還討論了Rfaxis為因應當今射頻/無線產業面臨的這些關鍵問題所開發的部分技術解決方案。

據Linley Group統計，智慧手機是無線產業成長最快的區隔市場之一，預計2014年智慧手機的出貨量將達到6億部。這些先進的行動裝置可同時支援3G/LTE網路和Wi-Fi無線連接，因此用戶可以一邊連接行動網路進行語音通話，一邊透過Wi-Fi無線網路上網搜尋或下載資料檔案。在內部空間有限的手持設備中同時執行不同的無線電會給射頻設計帶來前所未有的挑戰，需要在保證性能水準的同時最大程度地降低物料清單(BOM)成本。

新出爐的RFaxis白皮書提供了多家一線供應商UMTS/WCDMA接收頻段(Band-1, 2.11-2.17GHz)不同Wi-Fi功率放大器和前端模組的綜合測試資料和雜訊貢獻值的對比情況。多年來，射頻/無線產業一直在採用不同的材料/製程技術開發PA/FEM，包括GaAs HBT、GaAs pHEMT、BiCMOS SiGe HBT和最近的塊狀射頻CMOS。

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該公司此項研究的部分關鍵成果包括：
‧除塊狀CMOS之外的所有技術，WCDMA接收頻段總雜訊功率都會隨著WLAN傳輸功率級別的增加而增加，而塊狀CMOS在高WLAN輸出訊號水準的情況下，雜訊功率的變化微乎其微，甚至略有減少。
‧採用GaAs或SiGe HBT的解決方案需要高水準抑噪（30-35dB），這需要採用成本更高的共存濾波器，還需要額外降低Wi-Fi接收器的靈敏度，並增加發射鏈路的電流消耗。
( z8 g; N. E0 a) T# s2 P$ j1 ]# x‧RFaxis採用CMOS的Wi-Fi射頻前端積體電路(RFeIC)所需的PA輸出線性功率可減少1.0-1.5dB，從而大幅降低電流消耗。該電路還能幫助等量提升Wi-Fi系統接收器的靈敏度。
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$ d' `" F" `" `/ T/ A+ vRFaxis技術長Oleksandr Gorbachov博士評論說：「隨著越來越多的行動裝置需要同時執行3G/4G蜂巢式和Wi-Fi網路，對提升共存濾波器性能並改善其成本結構的需求正在不斷增加，客戶要求滿足看似相互矛盾的標準，例如：頻內插入損耗要低，頻外抑制要高，元件尺寸要最小，但是價格要最低。我們已透過利用射頻CMOS特有的設備/製程特點及專有的設計方法，找到了該問題的替代解決方案，我們可大幅降低Wi-Fi PA對WCDMA接收頻段的雜訊洩漏，從而讓射頻系統設計師可以以很寬鬆的規格使用共存濾波器。這不僅可幫助降低BOM成本，還能提升Wi-Fi性能。」
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RFaxis董事長兼執行長Mike Neshat補充說：「我們很高興能與無線產業分享我們的成果，並向OEM/ODM客戶提供一切就緒的解決方案。這是RFaxis團隊的又一關鍵突破，可推動射頻CMOS成為下一主流解決方案，滿足智慧手機、平板電腦和超薄筆電等當今高度複雜的無線產品的最苛刻射頻前端要求。」