求助关于GCPMOS管的版图

scy8080

如果GCNMOS管做电源的CLAMP电路，drain连接到电源上，source连接到地，很好理解，drain到POLY距离拉大，能减少电源电流对poly的冲击
而对于GCPMOS管做电源的CLAMP电路，drain(到POLY的距离更大的有源区）是否也应该连到电源哪？
# [* {, r$ ^$ M% Y8 N谢谢

ritafung

你是否想用GCNMOS? 我們很少用PMOS 通電,因為它的BJT gain是很低
1 u1 M: L5 x6 f9 [如果是用NMOS的話,drain 是連接到power, source 是連接到ground.

semico_ljj

GCPMOS比较费面积！画小了不起作用

scy8080

我现在用得这个工艺，foundry推荐用GCPMOS的，但是不知道版图上drain和source怎么处理？

' N% z/ ?0 X/ Y[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-12-19 09:52 AM 編輯 ]

semico_ljj

就像GCNMOS一样处理吧！

scy8080

drain(到POLY的距离更大的有源区）是连到电源还是连接到地好？能否给个解释？谢谢

ritafung

drain是要連到正電源 (assume product 沒有負電壓), body / source 就連接到 VSS
+ ~& x0 n  O/ j5 O當正ESD pulse打到正電源,它會透過NMOS內的parasitic BJT把電流流到 grounded pin

scy8080

我想知道的是PMOS管的情况！！！
0 P9 N- k' `9 I+ c# s2 [: a5 o
/ @0 O* P5 y6 w6 `4 T; ~/ `对于反相器，通常情况，我们认为pMOS管连到电源的有源区为source,连接到输出的为漏；
6 j( ], ]# l% {% V9 l" ]
& b# A9 w9 }' o8 V" H9 s4 y& fGCNMOS的clamp电路，drain连接到正电源，body/source接到VSS,正ESD pulse打到电源，NMOS的寄生BJT导通使ESD电流到地 pin，
而对于GCPMOS管的clamp电路，应该如何考虑？

ritafung

我想是這樣子吧~
2 X% e# R9 ^, q( v! c% v* j; lNWell Process + Psub, NWell 便要連接到正電源,PMOS drain連接地pin