Sansen讀書會...

賴永諭

slide 154
A gain of 1000 is expected.
5 G5 M1 m& m3 V* {& D  r9 i8 [=>應該是 A gain of 100 is expected.

賴永諭

Slide1524:
# ^; ]3 {# H* O' y0 I& Z' i4 BSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
- k. G! b' O- b
- X  P9 R+ \2 Y0 d5 q8 k" G8 m補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
; K; Y( J% P* pSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
2 P- f* u/ w/ `$ b( ?" t
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

Slide 1312:
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
4 a% {. i! w# |6 N7 FOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
Output series: Current sampling輸出電阻變大
" w; H! Z- k- r5 a5 p2 a

賴永諭

slide 0731
1 l" b$ G& Y1 i需要4各bias 點~

side 0732
只需要3各bias 點~
M2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

slide 097
. S( v" q1 V) T4 E. I- p0 rIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
% U; a& t, N2 V# y) rdepending on the phase margin required.
=> 更正
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
4 d$ S! H$ e  l3 e% D" N9 Hdepending on the phase margin required.

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
回復 32# tuza2000

% C' d$ U/ u+ O- g4 C上面說明有誤～
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
4 U* \1 J( w! g/ I! d  j

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
6 M0 j) K+ I8 u' ]7 S/ [Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
9 s% }7 \7 d9 ^5 A  o所以Rm增加beta

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
+ U* e; K0 l! c7 ^0 i* o+ r$ g; kRef: silde2219
Start-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 025
6 R4 |# s5 C/ j- c+ @+ `0 sNoise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

slide 0444
$ a% N0 F" L$ h0 w7 ?Noise of a current mirror with series R:
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
4 P5 C& q# G# j6 ^3 k3 B$ m: D7 Z還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

slide 0513
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
- F- @9 S) Y( v0 t1 j2 Z. L* e2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
3 T; M1 E7 ^0 u/ l/ U分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
" d1 Q  t6 h- _: Q" ~1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
2 `+ Q$ @% z: z- P3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 2222
: u' q: l5 a7 T1 H6 oVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

" `  A  S# ?* ?. H=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
# X# q; ~* S" |2 Y  l所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
/ ?5 v& j+ V6 d# GVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
* F4 A4 O% e- t9 V所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
) b/ k' h9 S: N  u% R

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
5 D; n, j, T1 a- Z4 ]7 n1 e
5 K' }, x7 i1 n' n0 A9 m3 r=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
$ @' d6 Q- R$ }

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
/ p# F! P. I% g2 ~用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
: t4 [" l( {* \2 u# v- v  Q* G. _: Z

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA
4 H$ f/ R! K( b7 I2 @# K
7 |( Q5 ]+ |/ w3 Q4 Cgmmax 應該是C1WC1/2C3
# T3 x6 G: c( |$ j
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

gmA~ 4RsCL^2Ws^2
and 4WsCL^2/QCS
/ b; h' p3 I6 B' ]8 u
0 S  Z9 E9 `. B7 v$ \6 \
" N: @3 W" [) k  q7 y; c