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樓主: 賴永諭

[問題求助] Sansen讀書會...

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 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 顯示全部樓層
slide 1548 ~: n" m; h  o* i$ {9 I
A gain of 1000 is expected.2 }$ n0 N2 a+ c& C6 V% [
=>應該是 A gain of 100 is expected.
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 顯示全部樓層
Slide1524:
+ I' Y9 h, n" b" F. ^5 ~Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro14 R/ t" m, N0 N, i- e! v
% w) J2 K# l2 E
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):% w5 U; \  G! j: E, F  @) s
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
, E9 X$ z; R2 q  p( E6 y5 k; W  G0 @- k& h: m  Z6 l4 e
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):' i# v+ R/ K; d) R! q- G# r
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 顯示全部樓層
Slide 1312:
- D% I9 J9 M* o2 f! nInput shunt: Current mixing輸入電阻變小
) z% _+ [9 E7 I7 XInput series: Voltage mixing輸入電阻變大
% l  U6 @3 n- S( b9 ^6 EOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小& I& U- h  v. e# I* U0 B  J$ u: c
Output series: Current sampling輸出電阻變大
1 k( E1 }& @% J1 k" n( P% i: H
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 顯示全部樓層
slide 07315 `2 B+ i9 g) Z8 v& t9 p2 u9 L7 e
需要4各bias 點~1 Z1 `  m# U2 P" b; W5 ?

- t6 O, _1 c8 N5 o  rside 0732
9 d6 v! c5 b5 I) O" k: W只需要3各bias 點~: d+ j1 k0 Q4 {- b0 a
M2 D 端的極點比slide更遠
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 顯示全部樓層
slide 097
" Z) g* Z8 S" ?8 `9 {It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
4 p# f5 H8 S5 Q* k8 p1 Kdepending on the phase margin required.
7 q# `% R/ Q9 e4 R=> 更正3 y9 F; B! t) v, n1 S
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW: ^$ H+ {/ B( T/ k8 o- q/ a
depending on the phase margin required.
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 顯示全部樓層
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
% i/ L2 L  q' b: p/ q) r6 x回復 32# tuza2000

+ P$ W9 _' k0 ?9 i7 D( f- |, _; z上面說明有誤~9 d, `. d* v" R6 N( R. k: T
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接$ G& @5 i  S/ j$ z: ]: u
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 顯示全部樓層
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)4 t/ `, p  W3 I% U  A$ R
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻* j/ R& ~( i" e% c8 C# M# _
所以Rm增加beta
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 顯示全部樓層
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
- {, z4 T% i, U- n& _Ref: silde2219 - r- p, |2 O8 X: j9 `6 I
Start-up of oscillation 可知
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 顯示全部樓層
Slide 025& k, h$ G# @( b
Noise will be explain in detail in Chapter 4.
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 顯示全部樓層
slide 0444
4 ]& Q8 L8 A( Q4 b- `* ENoise of a current mirror with series R:% k( S4 x9 h- k  K& M9 Y$ H
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!9 g: N7 I, L! S, y( A" _7 r7 y' P
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~; L/ f1 w' u- ]# _. K# J
謝謝~~幫忙回附一下
. C, Y1 M) y* x) l
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 顯示全部樓層
slide 0513
4 Q; t& H# f- |: C) K/ F+ @分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下- k- w5 e' }0 X+ O. n$ v
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
4 a) D5 Z* n: u) B5 f3 |2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。& B3 k# O- r. L: D+ ]5 c) v0 a' u; J
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 顯示全部樓層
slide 0513+ r: v! V3 X' n/ ?" _2 D
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下& G# z0 t3 c% D$ H2 C
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
7 m& g4 F9 Y' C/ A* y" V2 h2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。: @6 A- |/ w0 M
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 顯示全部樓層
slide 2222
/ D& M( k% ^! f$ GVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
' n$ j+ t0 c. L1 \* ?! j9 {' N1 t" d6 G8 h) X: l' g5 g$ T
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2: X6 X0 e9 m- A% ?: t9 S/ t6 m
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
" W; A! t5 n; `3 i2 }9 U, a8 O所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
0 P# h) E7 o( x/ w* \0 Z
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 顯示全部樓層
slide 22225 S( I" p/ @- q; P' D
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)4 g: i* ^( N- T7 Z8 B
+ q. y+ b% S9 n6 e+ H$ J
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C29 h4 ?; L; ~$ \2 t/ x" [. |: h
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
% J  U( j* x! u9 \7 w" j; c所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
( e6 [3 G. \& w7 ^& r6 c) ]
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 顯示全部樓層
slide 2222& X1 I8 t5 V6 g9 ~2 i
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)$ Y& H$ m% P7 s: L, S4 |

: h$ y! _5 W2 B* t  I* n9 b=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
" Z, ?4 l6 N3 P& j& U% u用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
3 l/ \5 M% o8 p6 C4 Y6 O: m所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2); h, B. G# A& k4 v6 E- n
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 顯示全部樓層
slide 22226 N, L/ r, z0 ^/ s) S
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
0 k! L' ?+ Q3 ?: {% b" p. G+ H
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
  P& X* D# }) x* z! b( c, @& V用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
; ]$ o) h+ D) D$ o+ j" j: R3 M所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2); T7 U6 y; M2 }- P' Q4 Y
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 顯示全部樓層
slide 2264 Calculation of gmA
* M( e0 m9 x, |0 b' n
: y4 _# ~3 m  d2 c/ {/ P2 w& Bgmmax 應該是C1WC1/2C3
2 t; [. m7 S9 q9 g
- \3 C; J: c; I6 U=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 顯示全部樓層
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM8 T0 o" ?$ t. B
slide 2222
: T9 M, s- S! k3 f3 _Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
# f3 H1 X: i; S5 @+ V4 U; p
gmA~ 4RsCL^2Ws^2
, g% n5 q/ s! n' _0 R. gand 4WsCL^2/QCS
4 F& q* ~+ N9 I% _% ]5 ?8 Y0 }
  p3 _0 Q' ?* l" Z3 s" w5 k9 n% t+ f
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