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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154& q5 V5 U- A& N- W) y" U0 L. W/ \
A gain of 1000 is expected./ @+ `$ {4 V$ C, Q
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524:
& r: R" U, ?! LSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1  j2 S5 g- `# t' O. p( S* H
7 e" l7 c2 G# F& }/ c/ n
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):/ b& V: M, o& }& z
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
7 C2 D9 Z  K7 _9 b+ R2 r6 a; C# W. c: X; l4 R* v) P4 d
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):8 s! o. h4 i: j
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
+ v, U$ z# I* vInput shunt: Current mixing輸入電阻變小
( i. U3 x% z9 I$ |  x" n3 ~Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
  V1 d5 \6 D- ROutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
$ c. G' I  L: DOutput series: Current sampling輸出電阻變大
. E# ^: W6 O% X+ V6 d# _
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731: Y5 G3 R7 k0 L
需要4各bias 點~3 ~  z" V$ _  U4 R9 v$ s
3 @5 q' G$ a+ S& ?/ s  V; ~" _* y
side 0732: o. u! n$ X" N: J( l
只需要3各bias 點~4 k; E8 d8 |7 l) C  l" S1 I4 N
M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
5 B! L# r# ~/ H# xIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW) m4 w, }8 B" `! k  @8 f5 S$ x
depending on the phase margin required.
  V; l0 t9 o% @; F3 }=> 更正, N3 I: j+ r* W- D( \' j
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
9 _) v' Z7 t) j- O) p* adepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
) K0 w* R) l5 |' n回復 32# tuza2000

! b; V1 b/ h" C! |2 w3 V2 {上面說明有誤~
' q$ x+ B/ f6 M; Y3 c% A實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
4 ]: T. r) e) N0 T5 a, ]
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)0 {0 _4 W* \1 ^& x, |- Z6 U
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻2 V0 k  b: Y8 F3 R
所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)% |, Z5 G* h- _6 c" ?3 Y% |. S$ A
Ref: silde2219
8 v1 Q, T6 o$ q" N3 W) ]1 }Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
+ R: l4 K* r* ZNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444) B# F) Y8 R! d4 m; e$ r/ r
Noise of a current mirror with series R:
, H) Q( Y) E, V* F+ Q; L前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
; E# F: G" r7 q  X, t  D( A還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~! T0 r: F6 x3 a
謝謝~~幫忙回附一下
, r& A* r- L% y# }; h/ q2 X
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513; ^6 D$ F9 i% f4 G: p  _5 x
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
3 b' _0 w+ w0 `( H, w! f1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
. T0 [1 }- b% M5 \# b2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
$ G* f: K$ S. |: U3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513- P, y4 O! D; n- j2 S- `
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
# f! ?9 K" P! {' L! {( g1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。* _! M: \/ A; g+ l
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
# w9 L5 G2 H0 ]' z1 ]" H3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222: f% q) U- J' b
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2): V. ]' K/ j, c- C" O- B/ o$ g  ]
7 A8 T/ P* y; h; V. T! \
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C28 z6 {' F9 j9 T4 @' c% L
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
* F* l/ X  z: ~所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)) Q# u- A  a: y: w, b
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222
4 L5 m- |( Y# {% z: fVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)% U9 x  I+ i, \4 U+ H9 T* u3 B6 f

$ Y9 u+ `5 B, e5 x! T7 c=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
: @% ?' T: @: G# `用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
- h3 B' `: \( o9 M# w! ]所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
& |+ u% m& g7 ]" F: P, M
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 22228 I1 d2 ^& o# R. c$ V7 c
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
3 J1 }( O+ B9 ^0 u0 K; N- ~5 o1 c7 N4 S- r4 K( F
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2/ m  l4 ?% O: e* R' U8 K( F
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻: `( \' s9 W: e! T! ?; B* ]. G
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
+ `0 O9 O0 Q$ v
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222
1 `1 O1 ]( @9 ~7 uVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
! `( r0 O3 J! z4 s4 O
' M6 \6 ^) y% L3 l=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C20 d$ M/ T& f: ?6 G
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
7 F6 f# \/ w! }3 r7 n: F3 F  t所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)4 w, [# K5 T7 A  V6 c% P8 U% ~$ ~+ ^
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
- m! h' H) `1 d1 q% c; N5 \  F
# v* a, x, z; R' `gmmax 應該是C1WC1/2C3# |1 S; J3 @& y) ~$ O/ I
( {. a3 f& P# y' c. S0 f7 E* n& e+ z
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
+ \8 ]. i9 Q$ v3 {% `slide 22223 H6 l3 I; ?7 ]4 H1 f; s& }
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

0 w2 P3 G2 t/ \* @' r+ r4 I9 \8 ^gmA~ 4RsCL^2Ws^23 o  q5 l; I% {# K8 T
and 4WsCL^2/QCS
8 n& O8 g  z. ^1 ]2 d
* o, |# g3 u" I( u1 A! U9 l
3 X2 [; ^( ~5 C/ O8 m. j( T
59#
 樓主| 發表於 前天 10:52 AM | 只看該作者
RIP
4 v& f! J7 L- H' }: F2 n4 q' C: V0 ^& u# O
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)" _: O- k% g5 A$ {: C: m) v7 S; W

& F& R1 w/ U( V- v9 }https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
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