Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
123
返回列表 發新帖
樓主: 賴永諭
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] Sansen讀書會...

  [複製鏈接]
41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154
8 m# @# ?4 P2 `: r% FA gain of 1000 is expected.$ q; d* l  d3 L! c8 c6 }0 E& t
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: ! l* A7 T! Q, r" H! V
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
8 x& _5 K' m8 |% u0 m: |% V) Y; z1 U& V% v
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):4 k" V9 B) \$ ^1 f
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1( V& K" g' ^8 x- l6 G! _! v4 n

" D+ F5 D- v9 }! d7 t補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
4 T9 E2 x4 @3 y2 a! {+ r* xSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:, {7 Y  G" M9 u+ m$ a5 E: W5 P
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
7 F8 }% |" M) H1 |Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
0 z* H0 e7 d0 s! C$ GOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
, p& P' v/ L* Q) C5 eOutput series: Current sampling輸出電阻變大
6 ]! [6 A* r/ a: d/ s. ^; a; o
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731
; [7 Q9 \( H; \0 \- K- E# j需要4各bias 點~' S0 O, X1 [  V

) @( q. n4 X  y7 y5 kside 0732
: q: x2 l2 m1 C  u只需要3各bias 點~: \9 M$ w& s5 f9 h6 i1 D5 a# _
M2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
# y4 I+ j$ m+ @4 o2 dIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
3 a1 Q& E7 M: C& {depending on the phase margin required.
2 N5 R  f+ a6 ?8 v- w& C=> 更正# [+ Q  O7 c! f0 Z( |8 ]. ^+ [
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
# c3 n. a2 i+ cdepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM+ j/ e- `4 Y6 B
回復 32# tuza2000

+ n/ ~1 ~, n" N& N6 T* v上面說明有誤~
, y5 z! H( |! u9 i9 R. \實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
- N- q# F0 a: C. ]: M' ?7 h+ s
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)- D5 j) J8 O4 ?7 v) Q
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻) b% ]0 k- K, U# b
所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3). _7 I& ^7 B* `  I, o" W1 m
Ref: silde2219
# w: q. b0 N  B7 OStart-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025% w7 S* h  t7 H8 `, C8 M
Noise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
& M& N  t2 @, ^. V2 jNoise of a current mirror with series R:  f* @; G: F! d; i
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
+ A- f9 H% T2 B" s9 H! s5 c5 d, p還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
7 Y6 D! _0 j/ A8 y1 X: y) [謝謝~~幫忙回附一下
& M; d/ o6 j2 ^- {! }! c& v
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 05133 P7 v; t% N. s
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
3 V: P+ q$ E% v9 R; [3 ?, O* _) L1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
1 D6 i; \" Y# b2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
; R- [. E+ @( g6 g, G8 s" ]1 E3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513' S+ n3 ?" x6 {4 M
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
6 m1 e. A. L; L  C0 v& n) a$ T+ e1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。' |0 \. Y7 r, ^2 R$ n
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
8 ?! X, O. L/ q. j3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222$ I' t( Q% N2 I' ?! g
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2): u# V- V5 R7 y  s8 k+ |
8 l  V4 q  o$ _/ w4 z4 [/ a
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C20 I) g1 O, A1 b( E2 c  q) e
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻  P6 |0 Y( ^! v, D" i+ t
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
1 o" [5 q5 S5 q* T
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222
$ s) d" ~7 P" A; }Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)" X- ~: ]( Q5 {/ B8 `2 `# N
  R' r; k8 v+ d: T8 S9 u5 y
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
; \3 ]8 m4 x8 o, y4 i4 B) v+ s( T用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻% G3 r- z) G3 u
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
8 x( U' ]( z2 M5 o! l+ K
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222* r% u$ y: l8 r3 z+ K$ d" Y, c- e
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)# F; z- r* u4 f5 `% C
! |+ E6 Z- j6 j8 k- }, T
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
( N/ _  W9 t( n1 o. A用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
) Z* B' T0 ^7 t" l# w% q所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
& M5 r# j1 j' x" q) v; `, ]
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222
: o9 O7 o: `! D- r# h3 f$ ]Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)" p* y; {4 k8 c0 d
) E8 o1 x  D. z6 V$ Z3 I
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
2 O8 y# r2 `0 \* l用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
* k* v9 v" H, N$ W* v  z/ H所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
3 G0 S+ G# h$ ^  o; P) R  D
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
* i% b/ O! f, ~5 Y4 [3 o/ U
3 w& s/ V0 F: G2 f- Zgmmax 應該是C1WC1/2C3
0 v7 p- D) ?6 f/ N3 k) |' ~8 t6 f  g# d4 s
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
2 N+ Q; b! g( g0 Y) vslide 2222
$ w5 J* z4 C! h' mVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

# C8 z; `2 k# O; ?1 e. cgmA~ 4RsCL^2Ws^21 f9 a& U1 k" D8 p8 b
and 4WsCL^2/QCS
5 d- r$ s$ q+ G( |# W: T0 |$ r# {) v. O& c6 K' x# Z

+ @1 U4 f' c7 A! E; E+ i8 y
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP 9 s! {  s2 i7 W' D# F3 `
: p) V9 b! g% J& ~  k* R
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
$ ?0 a5 q" O: ]; [+ i
" H9 [6 |* l8 Mhttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-18 03:22 PM , Processed in 0.124516 second(s), 16 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表