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樓主: 賴永諭
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[問題求助] Sansen讀書會...

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41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154
/ B+ i( q; E+ W! `A gain of 1000 is expected.9 N7 C0 B$ ^2 U7 y5 ~- _  N4 H
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524: / b+ r- L, b3 ]
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1% ]. d3 j+ J. R8 d
$ ~5 z4 W8 w, G" y( [) V1 ?
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
) j6 K* l/ j1 N" b% dSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1& z+ s) N( o/ z) F

. v* c2 b: w5 }) O* z) M0 N補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
$ s/ O; ^) k, W5 }Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:
9 }4 d4 ~8 g$ F5 p. sInput shunt: Current mixing輸入電阻變小0 T; n( \, h8 w. c6 M# u: s$ a
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大5 w7 e3 f5 d9 I$ ^. Z$ f# H9 o
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
5 g! s2 D5 i: ?5 F- s/ P; r" K/ SOutput series: Current sampling輸出電阻變大* V0 O3 N2 h7 Y
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 07315 P6 i' R( n' ^& h. j) a
需要4各bias 點~
2 g: R8 c# U* {+ R* V" }2 x/ l/ N0 @- i  m3 G1 b9 j0 b
side 0732& i1 a+ h/ ]2 j" Y% J
只需要3各bias 點~
: \- L& N: y$ T/ m) bM2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
8 J" D. h( C+ r* w6 ~It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
$ l- F1 Z& ?8 T+ o  T8 Idepending on the phase margin required.8 b. |5 x) N# Z, a& a
=> 更正
% _0 a/ N2 ]% p3 b  \6 aIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW- a( o$ L: n4 T
depending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM: r3 J6 ~+ C$ [# p5 C$ B
回復 32# tuza2000
1 V0 b$ g$ h- ^
上面說明有誤~
* ^2 c: _* f6 L- g+ T7 F; M實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接; P1 S4 z3 l' V2 J
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)- r3 B5 c' S4 K+ P! d8 A
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
" G3 D7 L; b; y6 n5 A( u所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)% N1 y/ e" ~# j' t
Ref: silde2219   R7 p: J! q& i& N' x* i6 [5 g
Start-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025
7 }7 n' z! Y. S* t, t' m' fNoise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444
2 K# {& _% o; y  d* o) BNoise of a current mirror with series R:
1 J5 f( _' _& D$ D9 P前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
# |: k1 A; I4 P  h2 o* l# _) x還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~" A. t/ P' [  C+ T; h6 l
謝謝~~幫忙回附一下) f2 Y& d& b# Z4 Q
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 05130 K& F/ q+ F, o: f8 o5 l5 V
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
9 K+ Z. s: z$ J1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
6 z6 c) C( ]4 b' ]1 \2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
+ l* ]( c8 [8 F2 k- f9 k3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513  Y2 _5 |4 x  e0 d* |1 k3 u/ \
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下8 p0 M- Q7 N+ n$ h& X% E" v
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
, N2 s" `. V2 M: g! m2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
# e# A1 }4 H6 u, m! _3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 2222! n0 F7 m3 O3 T" Q  r+ a' _; z4 ]
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2), C2 ?2 q" m' J. P8 A
7 Y% O% t. }. [( j
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
; O( C4 c# f4 i) b1 N7 o用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻* v7 a( n$ G% F0 R
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
, j0 G. [# P* l4 J6 f/ G# H/ h2 q
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222! W) f* ]; M6 G
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
6 p" [6 o, A) h& a, W- Q0 A7 T" s' l6 n4 N
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2' {+ H* }% l" q. I
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
/ q8 q6 G& o6 W0 R所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)! [# v' y# n9 h' G
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222# `0 _, i. [9 i4 C- c4 }  w
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)! y; P3 S) q; ^7 L

4 P9 B. B! Z8 e) i8 T=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
  T6 F0 b/ O( e9 a8 p+ [用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻- X' Z  ?9 ?& n
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
, u! m& d2 q  p) o) L
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 22228 A) X3 K" ^# [$ q/ B
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
6 S: g3 ~" y8 f) O% Q( Y  o1 ^$ F; S+ @7 [8 x
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C28 S2 E- k5 M5 w* b4 o
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻  o1 t* o. K0 u
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2): F6 A" [, Z  |5 o% N+ X8 ~9 ~
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA5 Q/ B+ ?: L  l" Y9 V
9 v) K0 G  q7 E  C; H" ?
gmmax 應該是C1WC1/2C3
# j' C  r( k2 {3 |# x) v* I1 b5 }* d% P! p
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM) G: _: [1 p+ @  x# r+ C/ h
slide 2222
1 Z) l$ Z1 Q1 z: J( ]+ x7 v3 U5 rVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
# X* t4 h" c/ d( A7 D
gmA~ 4RsCL^2Ws^2
: [5 T" u" A9 p, @- Jand 4WsCL^2/QCS- T$ R1 r( P5 r2 D) e3 W

6 F* }) g0 ^' f+ B0 B' T$ B. o2 U, G* i, ~& q
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP
& D% @( C' L* z4 w( \6 o
$ A% g7 A" `5 k3 o: h, ]" u4 C* eIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)4 H  H, M* K- F5 p4 p) m8 Y
2 s% _) `% t( P( c6 B  j: m6 g
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
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