BCD制程下的基準應該怎樣設計？

shaq

因為你輸入電壓範圍為 4 ~ 9v，先確定有無 HV 製程 再來考慮接下來的動作。

[ 本帖最後由 shaq 於 2008-11-3 11:17 PM 編輯 ]

shaq

原帖由 lynker 於 2008-11-4 11:01 AM 發表
剛才看了下BCD制程文件,DMOS的阻抗小,HVMOS的耐壓大。那他們在應用上有何差異呢？

$ A. o1 z0 m: G. U5 A; V

  q; p  }% p$ y2 b6 aDMOS 適合作開關（如： PowerMOSFET in LDO）以提升效率
# z, W; D6 T4 x2 ^( z, rHVMOS 就是應用在高壓的輸入、輸出端

) A" Z1 w0 i( t6 R/ d5 N0 Y( _# }6 L若有缺漏，麻煩其他高手補足。

shaq

原帖由 lynker 於 2008-11-4 09:02 AM 發表
% }- `& J' F( y1 p3 Q5 O多謝指教！
7 N* L- L9 \& `3 z6 P查了下確有HV制程，不知使用HV制程要注意些什�？

( R& \) s# o4 ]5 |/ w) E有 HV 製程的話，那你可以設計一個　Pre-regulator，將 4~9v 降至3v左右給 Bandgap 當 VDD 使用。