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CDM ESD Protection in CMOS Integrated Circuits

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1#
發表於 2009-1-1 19:19:23 | 顯示全部樓層
CDM 為由 IC 內部對 IC 腳位放電, 不同於 HBM &MM 為由 IC 腳位對 IC 內部放電.
0 s4 a  ]% i* r. @# T+ uFailure mode 通常為 Gate Oxide damage 較常見!
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