high-side switch 用PMOS或NMOS？

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請教各位前輩...
你們在選用high-side switch用的是PMOS或NMOS？
如果要將switch mos整合進chip...
在低RON的要求下...MOS size可能會佔去chip一半的面積...

如果用NMOS自然可以用較小的面積達成...
是否必須要有一個比input power還高的電壓將NMOS turn on...才不會有多一個Vth壓降造成的power loss...
但要如何去設計這個gate driver?

一般是用bootstrap去昇壓？還是有其他方法？
有沒有相關的paper可以參考呢？謝謝！

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謝謝yutian的回答...

所謂用bootstrap需要多加一個pin...
這個多加的pin指的是要外掛一個C連到L的一端是嗎？

有沒有前輩可以簡述一下bootstrap的操作原理呢？
或是有沒有可以參考的paper...
小弟對bootstrap實在是沒接觸過...
麻煩大家了...

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嗯...應該是說...以MOS的特性來看...
NMOS本身就較適合當low-side power mos...而PMOS就適合當high-side...這也是最簡單的設計...
但在低Ron的考量下...用PMOS需要很大的area...
所以才會將high-side也改用NMOS...

如此一來...會需要多作bootstrap的電路將NMOS Vg升的比VDD高以驅動NMOS...
另外...前面的gate driver電路與level shifter也是另一個設計重點...

應該是不會有人用兩個PMOS...畢竟面積大...且當low-side還有其他問題要解決...