high-side switch 用PMOS或NMOS？

yutian

（1）選用PMOS，面積是很可觀，但不需要另外的PIN，直接通過輸出的duty信號經過Level shift和driver來驅動。
（2）選用NMOS，面積相比小了一半多，比較更符合吧。但是這是就需要比NMOS的Drain端電壓至少高一個閾值電壓VTH的信號來驅動，其中一種方法就是加bootstap function，這樣就多了一個PIN，另外還需要一個diode和Cap來構成bootstrap function。至于其他方法我還沒做過，我做過的都是用NMOS，采用bootstrap 的方法。
如果各位有其他更好的方法，不妨大家共享一下。

yutian

我一直在用NMOS作switch的電路，所以用的比較多。
你不妨在網路上找一下IRF相關的design notes，比如：Bootstrap component selection for control IC's，里面對bootstrap所需要的diode和cap有較為詳細的敘述，其他廠商也有其他bootstrap function的敘述，比如TI，NS，你在網路上找一下相關的datasheet或者application notes。

yutian

用兩個NMOS的我有做過，確實比用PMOS省面積。
但是我還沒見過用兩個PMOS的，一般用一個NMOS和一個PMOS的居多，好像現在趨勢是用兩個NMOS。