原帖由 sensing 於 2008-10-15 11:10 PM 發表
. H( j" r: b8 Y+ B! ^8 E, F& ^可是從書上要降低RDS的方式無非是加大(W/L) ratio, 或是提高(VGS-VTH),) M2 J% a+ S6 @( \) F
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因此通常POWER MOS的面積都不會太小, 所以才有書上non-conventional的LAYOUT方式
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4 q& f7 I/ G% t) ?目的也是提高單位面積內(W/L), 因此小弟不解POWER LINE ... 5 u5 [; I0 B% X7 F- W
0 Y' M7 p- M' v2 q( V Z5 f6 mPOWER LINE的PLAN指的是METAL的拉線嗎?2 ?1 k4 ?3 C/ b' W
→ 是的~ power line plan不佳,會響影RDS比較多,另外bond pad和bonding wire多寡也會有影響,一點點。
. |$ V+ f" y% T, a4 |- Z但,影響多多或多少,可能需要多多實驗囉。 |