請問在Layout如何數位與類比

likewind

請問一下各位大大...
小弟想要學Layout
現在先從數位的畫法先學起，慢慢在學類比的畫法...

問題:
1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)
" o; s! B) Q+ k2.數位與類比畫法的差異?
& g9 Z) @4 U1 d% t7 W3.類比的電容與電阻怎麼樣去畫與如何去算它們的值是多少?
- C( I) _  s0 [/ s. T. D3 C! Y/ M4.小弟不知如何去學好Layout可以請各位大大給點意見嗎??
拜託各位大大嚕...謝謝你們

小緯仔

電阻電容的layout方法
9 K( O6 B# \& ~& _
+ U" D% d8 {% }0 q2 k6 P. |在論壇應該可以找的到
6 v0 |) h! m6 x' g4 H0 i5 chttp://www.chip123.com/phpBB/vie ... ighlight=%B9q%AA%FD

4 z8 i. U+ o! L6 w% _- F我覺得要學好layout 對於製程要也一些觀念

這樣子才知道自己在lay什麼
) K, s; R' q' S1 s; V
' N8 }0 P9 [- M* Q8 F2 f$ ~0 ]在製程上會有什麼影響，可以嘗試把一些簡單的layout
" C) Y/ w* H$ k) n! W! c+ u
隨便劃一段，將他的橫截面畫出來

likewind

嗯嗯~我認同這位大大ㄉ說法
製成觀念也是很重要滴...
課本上的截面圖...
5 w, Y8 x/ \) K' s) v1 _經過學校上課...小弟有點概念了~
謝謝你~

小緯仔

別那麼客氣啦！
, v3 R/ ^5 K$ m0 r/ ~- A4 S
' ^* y6 K- W4 t3 x& }8 y我現在也是學生
. r( y; g7 T- ]% W/ K  M
或許只是比你早一些時間學到而已
  c# v- R* Z- H
有問題都可以在一起討論

sw5722

1 比較模糊的說法,類比的mos尺寸比數位大,比較準確的說法
) g: Q4 `0 K  ?0 h, D) B0 H   要問rd.
2 數位比較自由,mos要折就折要跨就跨,除非rd特別交待,不然
   就是越小越密越好,類比的話,比較龜毛,接線一定要metal,跨線
5 ~/ ~& g8 D4 f% O$ B: i9 p( g' w1 h   也要講究,其實就是designer依據電路去主導layout
. x; N9 j2 \! a* W3 每種製程都會給你一些參數,去計算,通常是多少面積有多少值
   我知道電阻有一個公式是這樣,R=(參數)＊L/W(是從R=q*L/A延
　伸ｑ是介質係數)．
４多看多問多畫,其實也沒啥難.

linger809

1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)   2.數位與類比畫法的差異?
數位和類比只是概念上的叫法.所謂數字就是只運算出結果0,1的電路再加上時序,構成控制和運算電路.而類比的輸出結果是和time,input-swing,phase,有直接的關係,輸出是綫性變化的.類比中也有數位的divider,pll中的pfd等都是數位的.只是在layout時我們對數位的比較不關心,可以放在一堆就好了,而類比的我們要把foudry生産的誤差考慮進去,比如說橫向縱向的梯度要考慮,要將誤差减小到最小就要匹配好divice,比如difference input的對管一定要注意匹配,中心對稱或者dababd(d代表dummy) 或者  abba的方式,有dummy前一種情况比較好,沒有dummy后一種匹配更好
1 g1 w. P: j1 h" @) ^' K
3.類比的電容與電阻怎麼樣去畫與如何去算它們的值是多少?
一般layout時,virtuoso可以直接用xl把device從pdk中調進來,如果你用laker的也是可以根據你電路的標值從pdk中掉進來.至于計算方式foundry針對每個工藝都有它的計算方式,電阻一般是r=rs*l/w (rs是方塊電阻),有時把端頭電阻也計算進去(如rhpoly沒有rpo的部分(tsmc叫rpo,smic叫sab),lvs文件也有寫怎麽計算.有時也把工藝的偏差都計算了,不過這個不用你關心,foundry已經幫妳考慮了.
4.小弟不知如何去學好Layout可以請各位大大給點意見嗎??
多動手layout,多看design rule,多layout大模塊ll,ad/da,以及拼接總圖,esd環路layout,tapeout后查看問題等
2 O/ C7 t4 i/ L; u% A
0 H) |/ s3 l  }4 |5 P) k希望對你有點幫助

CM168899

上面的大大說的很好
5 ]! r. s# c" }1 D0 r" K2 t) D1 T2 ^我覺得多做自然會有經驗累積
) ?  b( k, D- ]* S) M會越來越有sense

ker

一定要注意匹配,中心對稱或者dababd(d代表dummy) 或者  abba的方式,有dummy前一種情况比較好,沒有dummy后一種匹配更好
; {' }( U6 b# W3 _5 }( H* b
第一個問題
想請問一下上述的原因
) c; l9 q' h( {: \* y  o! |6 H) |& Z第二問題
因為剛學LAYOUT  幾乎都會加上dummy  是所有情況都加上dummy比較好，還是以abba排列不加dummy會比加還好

7 R! P  T) m8 W, b0 V: I& d5 T' A請指教  謝謝

Avril

abba排列不加dummy會比加還好
  j: j7 ]& E( l! T6 I( g; n
7 F! C% o6 J& y4 E0 A0 B- }% M這句話應該有待商榷吧
如果挑剔一點, ab device尚未maching
若dabbad, 會比較好點吧,

每家公司都不同, 討論討論囉

angala

通常類比電路會加上guarding,數位電路就不會考慮了^^

pkjordan

數位應該就是是傳送簡單的0 1 訊號
在layout大概只要線跑的過就ok
除非一些叫髒的clock訊號要特別注意

. j- {: e& J5 j8 u9 j類比訊號就會比較雜亂 (高頻 電流量 等等)
3 I7 U+ }0 a6 B1 p, z  E所以在layout上要特別注意到跑線問題 couple 干擾 是否要加shielding等等問題 比較需要經驗累積

clarkhuang

問題:
1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)
- M" w5 N4 x3 b# [5 V應該是以電路圖為依據......我猜的(類比會有清楚的被動元件)
2.數位與類比畫法的差異?
0 y: D# l9 ?. T7 c" ~, ?如上面有大大提過   加NRG或是PRG 這些都是類比 必要的
2 j" I( J" P& c* Z$ d  z數位求面積最小化
3 n1 Y! m. S# j類比講究對稱 匹配  電氣特性 為考量
! ]7 I# J& `* W. x. h如有不對請指正

ecalfs

類比layout考量較多元, 需累積很多經驗
: C6 h% E  P# ~必須要更了解電路特性, 一般需要求designer提供layout gideline
& [$ S: f% d2 Z! q  h/ o# S# D4 G否則容易有問題

BOGY

在晶片佈局(Layout)考量方面，類比(analog)部分與數位(digital)部分所考慮的方向不同，所以對於在佈局時，方法也有所不同；數位電路最主要考慮的是面積的考量，故通常都先製作單位元件，將VDD與GND的高度固定，每個單位元件都以此高度來佈局，不用考慮noise及match之問題，其最大原因為數位電路的noise margin約為 ，所以雜訊免疫能力很高，而元件之間的對稱問題，也不用考慮，
4 L/ z' N6 m7 e$ P, [" X+ j
/ [0 A" @8 h7 m# ?/ V8 b2 j但在類比電路佈局中，對於對稱MOS必須盡可能的match，使MOS可以同時受到雜訊的影響，讓雜訊變為共模訊號，則在OPA不會被放大，進而不影響訊號的正確性，如Amplifier中的input端。一般的方法是使用common centroid來達到目的，在MOS兩旁加dummy可以防止周邊元件對其他MOS的誤差所產生的影響。而在MOS的周圍加上一圈guard ring，可以盡量減少雜訊對於MOS的影響，以達到保護電路的效果。

( q" Y  e4 @6 D在Layout電路的元件擺放位置，需要讓MOS與MOS之間的間距為minimize，且MOS之間的連線路徑盡可能成為最短路徑，使得線路上的寄生電容與寄生電阻盡量減小，則產生的效應對電路的影響可降至最低。
Power lines的考量可以從多方面切入。例如在VDD與GND的連線路徑上，因為連線路徑必須承受電路整體的電流，使得我們必須加粗連線路徑，以提升路徑上可承受電流的程度，避免連線路徑因電流過大，導致大電流而燒斷連線，形成斷路。從另一方面考量，因為我們加粗Power lines，使得路徑上的寄生電容變大，當power line有雜訊時，可以透過此寄生電容達到減少雜訊對於電路的影響。

  R, S9 V/ e, Y: S/ o其實講了那麼多，還是要多多練習如何編排MOS元件的擺放方式。還有就是設計電路方面自己也要懂一些，才知道為什麼電路要這樣子設計，這麼一來對於電路的了解也會更為精確、也可以考慮到更多的效應。

seuzhn

类比的尺寸比较大
而数位一般是最小尺寸
这个方法比较简单可以分辨出2中的不同
. u7 g4 g' v; t5 u2 V. `很多的东西都很难一言蔽之，要在联系中体会

lin.weite

1.如何去分辨數位與類比?(在Layout上)
$ s3 e6 v: ]- l) K* H" K
RD設計出來的電路是Digital,就是Dgital Layout
8 z& z( f6 U# K2 IRD設計出來的電路是Analog,就是Analog Layout
在Layout上沒有很明確的去區分
& n. g( O8 P$ q( M) w在製程上倒是會有所區別
一般常用的製程有
: A1 f" P) ~7 d+ F4 p) sCMOS製程(有純Digital,有Mix Mode)
' J* {* @. P' x1 h' d2 uBiolar製程,Bicmos製程,BCD製程....
就看RD設計時所需要的元件,工作電壓...去選擇囉!!
1 Q# }( ^( J+ o8 {* \
2.數位與類比畫法的差異?
3 V! C; o( q: L" t; o
; E  c  v" N5 G  F/ Z' @0 qDesing Rule是固定的,很少會因Digital或Analog而變
要說Digital與Analog的畫法差異
9 P1 x! r4 K/ j4 G8 ^( b應該說是在Lay Analog要注意的地方會比在Lay Digital時要多
通常Lay Digital只要符合Design Rule就可以
' E' b4 j7 l( r( A! Q但Lay Analog時有些原件的擺放方式就要注意囉!!

8 u  ~: j4 @2 t7 s3.類比的電容與電阻怎麼樣去畫與如何去算它們的值是多少?

電容,電阻的產生,取決於你使用那種製程
, H: Z9 n  v$ U4 K. n電容一般常用的有Mos Cap,Poly1-Poly2 Cap
電容值算法,一般FAB廠會告訴你每um平方有多少pF
每家FAB的Oxide厚度不同,所以電容值也不同
/ S! D: Q8 z, Z. f# ^電阻一般常用的Well,P+,N+,Poly,Poly2都有
9 ?, {" G8 X6 T. q$ F" p7 q3 }阻值每家FAB也都不一樣
# w. R, S# I1 r! O( x. o
4.小弟不知如何去學好Layout可以請各位大大給點意見嗎??

多拆幾顆IC,看看別人怎麼Lay,以及為什麼要這樣Lay!
應該能多少有些收獲吧!!