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[問題求助] RFIC 的ESD保护

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發表於 2008-7-17 21:49:33 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
为什么RFIC的芯片比mixed 芯片在生产测试中容易受ESD损伤呢,有没有RD达人帮忙从芯片设计的角度解释一下,谢谢先!
發表於 2008-7-18 09:20:22 | 顯示全部樓層
RFIC has pins for high frequency application. Such pins have capacitance limitation to prevent from signal power loss. Small capacitance demand results in worse ESD protection capability.
' z, A" P3 j+ S/ N( v: c( ZMixed-mode IC operated in lower frequency range has larger room for better ESD protection design.
 樓主| 發表於 2008-7-18 18:35:42 | 顯示全部樓層
谢谢daidai的回答,可否告知为啥small capacitance的ESD电路就难设计呢?惭愧,不是很懂哦!
 樓主| 發表於 2008-7-18 18:44:01 | 顯示全部樓層
补充一下,RFIC 受ESD损伤的经常是那两个保护diode,是不是RF的diode跟mixed ic 的diode不一样呢?
' a- Z. [- s& t( ?# X& r# g还有ESD 保护电路是要求IC在有power supply 的情况下才能起作用么?& C+ t5 p! i9 P7 d" L1 a% L

! {' F+ F2 O; g* R7 B$ j. _7 a+ [, I[ 本帖最後由 daojx 於 2008-7-18 06:48 PM 編輯 ]
 樓主| 發表於 2008-7-21 20:57:41 | 顯示全部樓層
自己顶一顶,希望达人开开言:0 z1 K, `. C5 f: r
Providing ESD protection for RF circuits is not trivial, as the parasitic impedance contribution from the ESD protection could degrade the RF functional specifications.
發表於 2008-7-22 23:01:39 | 顯示全部樓層
同樓上問題,如果.18的RF mixed IC中同時混和使用1.8 3.3 4.8v器件的情況下如何處理ESD情況,是否使用1.8伏特的比較閤理,這樣可確保最脆弱的管子也是安全的,以保障芯片整體安全,但是如果有power supply 的話,那么我如何選擇呢,我總不能給1.8伏的ESD,SUPPLY 5V的電源啊?
( h( p7 M$ R0 W8 t/ ^$ I# f或者說,如果一個4.8伏的電路中夾雜3.3伏特的器件,但是使用5伏電源域,那么我的ESD如何選取SUPPLY呢,5V的OR 3.3伏?6 A1 G0 v3 l% Y& f  B

; ]* a% W* J% _2 M* z) Q/ M[ 本帖最後由 CHIP321 於 2008-7-22 11:04 PM 編輯 ]
發表於 2008-7-25 08:54:25 | 顯示全部樓層
Usually, if we use diodes as ESD protection devices, the area is inversely proportional to application frequency. The small diode area results in weak ESD immunity. This is why ESD protection design is harder for RFIC.
# B% I1 D5 F4 X- |( J3 b7 XRegarding multi-Vdd issue, the choice of power supply of ESD protection circuit is suggested to be the same as the that of core circuit connected to PAD.
 樓主| 發表於 2008-7-26 20:21:55 | 顯示全部樓層
thanks you daidai, I got some files from internet for further explanation, if you are interested, i can upload them here.
發表於 2008-9-8 22:46:26 | 顯示全部樓層

回復 1# 的帖子

diode 只要可以承受順向偏壓 2kV 以上即可
1 M3 }! O. z& d2 f0 u$ J& [0 t一般面積要看電容值要求而定1 L( q# j' k7 t" h
通常 Pad 本身大約可以做到 80fF
; ]4 D+ N. ~1 a. z! _電容最大也是只能是 100fF 或更低
4 f' J( ^3 ]$ _想要自己抓 Size 要做 G-S-G Pattern 來量測: J+ q- H  t, L& j

& i3 K  g4 ~) l; j$ |8 b& Z如果 Power 和 Gnd 之間的 Power Clamp 做的夠好夠快夠大
- _1 I) Y. Y+ A1 o$ xRF IC 到打過 HBM 5kV 不是難事
發表於 2021-8-26 13:36:53 | 顯示全部樓層
受益'良多5 D0 x% K+ N$ {5 P9 Y" w
3 y# g+ C) a  t1 d+ m
謝謝大大的分享!!!!
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